[發(fā)明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110311662.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113066806A | 公開(公告)日: | 2021-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許孜;劉昕昭;高轉(zhuǎn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/84;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京匯思誠(chéng)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444 | 代理人: | 張育英 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括第一膜層組和第二膜層組;所述第一膜層組在所述顯示面板所在平面的正投影與所述第二膜層組在所述顯示面板所在平面的正投影交疊;
所述第一膜層組包括朝向靠近所述第二膜層組一側(cè)凸起的第一凸起部;
所述第二膜層組包括朝向遠(yuǎn)離所述第一膜層組一側(cè)凹陷的第一凹陷部;
所述第一膜層組包括靠近所述第二膜層組的第一表面,所述第二膜層組包括靠近所述第一膜層組的第二表面;
所述第一表面與所述第二表面接觸;所述第一凸起部和所述第一凹陷部相互嵌合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一膜層組和所述第二膜層組中的其中一者包括第一限位部,另一者包括與所述第一限位部相匹配的第二限位部;所述第一限位部位于所述第二限位部?jī)?nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一膜層組包括所述第一限位部,所述第二膜層組包括所述第二限位部;
所述第一凹陷部包括通孔;
所述第一限位部位于所述第一凸起部遠(yuǎn)離所述第一膜層組的一側(cè);所述第一凸起部的頂面在所述顯示面板所在平面的正投影位于所述第一限位部在所述顯示面板所在平面的正投影內(nèi);所述第一凸起部的頂面為所述第一凸起部靠近所述第一限位部的表面;
所述第二限位部包括第二凹陷部;所述第二凹陷部朝向遠(yuǎn)離所述第一膜層組的一側(cè)凹陷,所述第二凹陷部與所述通孔連通;
所述通孔包括靠近所述第二凹陷部的第一開口,所述第二凹陷部包括靠近所述通孔的第二開口,所述第一開口在所述顯示面板所在平面的正投影位于所述第一限位部在所述顯示面板所在平面的正投影內(nèi),所述第一限位部在所述顯示面板所在平面的正投影位于所述第二開口在所述顯示面板所在平面的正投影內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一限位部包括有機(jī)材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一膜層組包括硅的氧化物和/或硅的氮化物;所述第二膜層組包括硅的氧化物和/或硅的氮化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板;
所述第一膜層組位于所述第一基板朝向所述第二基板的一側(cè),所述第二膜層組位于所述第二基板朝向所述第一基板的一側(cè);所述第一膜層組包括第一導(dǎo)電層,所述第一導(dǎo)電層包括朝向靠近所述第二膜層組一側(cè)凸起的所述第一凸起部;
所述第二膜層組包括第二導(dǎo)電層,所述第二導(dǎo)電層包括朝向遠(yuǎn)離所述第一膜層組一側(cè)凹陷的所述第一凹陷部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一膜層組還包括第一墊層,所述第一墊層和所述第一導(dǎo)電層沿垂直于所述顯示面板所在平面的方向?qū)盈B設(shè)置;所述第一墊層包括第二凸起部;所述第二凸起部朝向靠近所述第一導(dǎo)電層一側(cè)凸起;所述第一凸起部覆蓋所述第二凸起部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,
所述第二膜層組還包括第二墊層,所述第二墊層和所述第二導(dǎo)電層沿垂直于所述顯示面板所在平面的方向?qū)盈B設(shè)置;所述第二墊層包括第三凹陷部;所述第三凹陷部朝向遠(yuǎn)離所述第二導(dǎo)電層一側(cè)凹陷,所述第一凹陷部位于所述第三凹陷部?jī)?nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板,其特征在于,
所述第二墊層包括層疊設(shè)置的第三墊層和第四墊層,所述第三墊層位于所述第四墊層遠(yuǎn)離所述第二導(dǎo)電層的一側(cè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





