[發(fā)明專利]顯示面板、顯示裝置及顯示面板的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110310891.0 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113066842A | 公開(公告)日: | 2021-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳國星;馬一鴻;李霄;丁立薇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 230037 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,具有第一顯示區(qū)以及第二顯示區(qū),所述第一顯示區(qū)的透光率大于所述第二顯示區(qū)的透光率,其特征在于,所述顯示面板包括:
襯底;
金屬層,位于所述襯底上,所述金屬層包括位于所述第一顯示區(qū)的第一金屬層和位于所述第二顯示區(qū)的第二金屬層,單位面積內(nèi),所述第一金屬層在所述襯底上的投影面積小于所述第二金屬層在所述襯底上的投影面積;
減反膜層,位于所述金屬層背離所述襯底的一側(cè),所述減反膜層包括位于所述第一顯示區(qū)的第一分部和位于所述第二顯示區(qū)的第二分部,所述第一分部的減反射率小于所述第二分部的減反射率,以使所述第一顯示區(qū)和所述第二顯示區(qū)的反射率之差小于或等于預(yù)設(shè)閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一分部的反射率大于所述第二分部的反射率,和/或,所述第一分部的透光率小于所述第二分部的透光率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:蓋板,設(shè)置于所述金屬層背離所述襯底的一側(cè),所述減反膜層位于所述蓋板朝向所述金屬層的一側(cè),和/或,所述減反膜層位于所述蓋板背離所述金屬層的一側(cè);
優(yōu)選的,所述減反膜層位于所述蓋板背離所述金屬層的一側(cè),所述顯示面板還包括防護(hù)層,所述防護(hù)層涂覆于所述減反膜層背離所述蓋板的一側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括:觸摸層,位于所述金屬層背離所述襯底的一側(cè),所述減反膜層位于所述觸摸層朝向所述金屬層的一側(cè),和/或,所述減反膜層位于所述觸摸層背離所述金屬層的一側(cè);
和/或,偏光片,位于所述金屬層背離所述襯底的一側(cè),所述減反膜層位于所述偏光片朝向所述金屬層的一側(cè),和/或,所述減反膜層位于所述偏光片背離所述金屬層的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述預(yù)設(shè)閾值的取值小于或等于2%;
優(yōu)選的,所述預(yù)設(shè)閾值的取值小于或等于1%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一分部包括在所述顯示面板厚度方向上層疊設(shè)置的多個(gè)第一子分層,各所述第一子分層的反射率不同;
優(yōu)選的,所述第一子分層的厚度d1=1/4λ1,λ1為390nm~780nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二分部包括在所述顯示面板厚度方向上層疊設(shè)置的多個(gè)第二子分層,各所述第二子分層的反射率不同;
優(yōu)選的,所述第二子分層的厚度d2=1/4λ2,λ2為390nm~780nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一分部和/或所述第二分部的材料包括氧化硅、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉭中的至少一者。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的顯示面板。
10.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,所述顯示面板包括第一顯示區(qū)和第二顯示區(qū),所述第一顯示區(qū)的透光率大于所述第二顯示區(qū)的透光率,所述顯示面板的制備方法包括:
提供一種襯底;
在所述襯底上形成金屬材料層,對(duì)所述金屬材料層進(jìn)行圖案化處理形成金屬層,所述金屬層包括位于所述第一顯示區(qū)的第一金屬層和位于所述第二顯示區(qū)的第二金屬層,所述第一金屬層在所述襯底上的投影面積小于所述第二金屬層在所述襯底上的投影面積,所述第一金屬層的反射率和所述第二金屬層的反射率之差為第一反射率差值;
在所述金屬層背離所述襯底的一側(cè)形成減反膜層,所述減反膜層包括位于所述第一顯示區(qū)的第一分部和位于所述第二顯示區(qū)的第二分部,所述第一分部的反射率大于所述第二分部的反射率,所述第一金屬層和所述第一分部的反射率與所述第二金屬層和所述第二分部的反射率之差為第二反射率差,所述第二反射率差小于所述第一反射率差。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





