[發明專利]半導體結構及其制作方法

有效

• 申請號: 202110310445.X
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113078057B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 韓清華
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3213
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板和陣列區，所述陣列區由平行排列的多條條狀結構組成，所述基板與所述陣列區的材料相同，所述基板的頂面與所述陣列區的頂面平行，在垂直于所述基板頂面的方向上，所述基板的厚度大于所述陣列區的厚度；

刻蝕所述條狀結構，形成多條分立的第一條狀結構；在刻蝕所述陣列區的同一工藝步驟中，刻蝕部分厚度的所述基板，形成第一掩膜結構，所述第一掩膜結構位于剩余所述基板上，所述第一掩膜結構具有側平面，所述側平面垂直于剩余所述基板的待刻蝕區域；

提供第二掩膜層，在垂直于所述第二掩膜層頂面的方向上，所述第二掩膜層的開口圖案暴露所述待刻蝕區域和所述側平面，在所述第一掩膜結構頂面所在平面內，所述側平面的正投影與所述第二掩膜層的開口圖案的正投影構成至少一個直角；

利用所述第二掩膜層和所述第一掩膜結構作為掩膜，刻蝕所述待刻蝕區域，形成第一有源區，所述第一有源區具有對應所述直角的映射直角；

刻蝕所述第一條狀結構，形成多條分立的第二條狀結構，所述第二條狀結構構成第二有源區。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述基板的厚度為所述陣列區的厚度的兩倍。

3.根據權利要求1或2所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在刻蝕所述待刻蝕區域的同一工藝步驟中，刻蝕所述第一條狀結構。

4.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在所述第一掩膜結構頂面所在平面內，所述側平面的正投影至少垂直并貫穿所述開口圖案的正投影的一條側邊。

5.根據權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述側平面的正投影位于所述開口圖案的正投影的相對兩側，所述側平面的正投影至少垂直并貫穿所述開口圖案的正投影的兩條側邊，所述側平面的正投影與所述開口圖案的正投影構成兩個直角。

6.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜結構具有相對的兩個所述側平面，每一所述側平面的正投影與所述開口圖案的正投影構成至少一個直角。

7.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述基板與至少一條所述第二條狀結構連接。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，提供所述基板和所述陣列區的工藝步驟包括：

提供相連接的所述基板和襯板，所述基板的頂面與所述襯板的頂面平行，所述基板的材料與所述襯板的材料相同，在垂直于所述基板頂面的方向上，所述基板的厚度等于所述襯板的厚度；

提供初始掩膜層，所述初始掩膜層的開口圖案包括平行排列的多條條狀開口；利用所述初始掩膜層作為掩膜，刻蝕一半厚度的所述襯板，形成位于剩余所述襯板上的映射掩膜層，所述映射掩膜層的開口圖案與所述初始掩膜層的開口圖案相同；

在形成所述映射掩膜層之后，去除所述初始掩膜層；

在去除所述初始掩膜層之后，利用所述映射掩膜層作為掩膜，刻蝕剩余所述襯板，形成所述陣列區。

9.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在形成所述第一有源區之后，去除所述第一掩膜結構。

10.根據權利要求1或9所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，在形成所述第一有源區之后，還包括：

在所述第一有源區上形成柵極結構，在所述第一有源區頂面所在平面內，所述柵極結構的正投影至少與所述映射直角的正投影接觸；

以所述柵極結構作為掩膜，向所述第一有源區進行離子注入，形成位于所述柵極結構相對兩側的源區和漏區，所述第一有源區圍成的具有所述映射直角的區域隔離所述源區和所述漏區。