[發明專利]射頻濾波器及其制造方法

在審

• 申請號: 202110310355.0
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN114285391A
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 龔頌斌;楊巖松
• 申請（專利權）人: 偲百創（深圳）科技有限公司
• 主分類號: H03H9/54
• 分類號: H03H9/54;H03H7/12;H03H3/02
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 虞凌霄

1.一種射頻濾波器，其特征在于，包括：

電路基板，包括相對的第一表面和第二表面，以及設于所述電路基板中的互聯線；

第一電觸點，設于所述第一表面；

第一倒裝芯片，倒裝設于所述第一電觸點上，所述第一倒裝芯片中的電子元器件通過所述第一電觸點與所述互聯線電性連接，所述第一倒裝芯片中的電子元器件包括聲學諧振器；

第二電觸點，設于所述第一表面；

第二倒裝芯片，倒裝設于所述第二電觸點上，所述第二封裝芯片中的電子元器件通過所述第二電觸點與所述互聯線電性連接，所述第二封裝芯片中的電子元器件包括電容器；

第三電觸點，設于所述第二表面上，與所述互聯線電性連接。

2.根據權利要求1所述的射頻濾波器，其特征在于，所述互聯線為多層結構，所述互聯線形成電感器。

3.根據權利要求2所述的射頻濾波器，其特征在于，所述電路基板包括設于相鄰兩層互聯線之間的介電層，所述電路基板至少包括兩層所述介電層。

4.根據權利要求1所述的射頻濾波器，其特征在于，所述第一倒裝芯片還包括叉指電極換能器，所述叉指電極換能器設于所述第一倒裝芯片朝向所述電路基板的一面，并與所述第一電觸點電性連接。

5.根據權利要求1所述的射頻濾波器，其特征在于，所述第一倒裝芯片與所述電路基板之間未形成所述第一電觸點的位置形成有第一空腔，所述第二倒裝芯片與所述電路基板之間未形成所述第二電觸點的位置形成有第二空腔。

6.根據權利要求5所述的射頻濾波器，其特征在于，所述電路基板還形成有第一凹陷區和第二凹陷區，所述第一凹陷區形成于所述第一倒裝芯片和所述電路基板之間，且所述第一空腔與所述第一凹陷區至少部分重合，所述第二凹陷區形成于所述第二倒裝芯片和所述電路基板之間，且所述第二空腔與所述第二凹陷區至少部分重合。

7.根據權利要求1所述的射頻濾波器，其特征在于，所述第一電觸點、第二電觸點及第三電觸點均包括焊球。

8.根據權利要求2所述的射頻濾波器，其特征在于，所述互聯線中最靠近所述第一倒裝芯片和第二倒裝芯片的一層用于形成與所述第一電觸點和第二電觸點電性連接的焊盤。

9.根據權利要求1所述的射頻濾波器，其特征在于，還包括塑封結構，所述塑封結構設于所述第一表面上，并包覆所述第一倒裝芯片和第二倒裝芯片。

10.一種射頻濾波器的制造方法，包括：

獲取電路基板；所述電路基板包括相對的第一表面和第二表面，以及設于所述電路基板中的互聯線，所述第一表面設有第一電觸點和第二電觸點，所述第一電觸點和第二電觸點與所述互聯線電性連接；

在所述第二表面形成與所述互聯線電性連接的第三電觸點；

在所述電路基板的第一表面上倒裝設置第一倒裝芯片和第二倒裝芯片，并使所述第一倒裝芯片中的電子元器件與所述第一電觸點電性連接、所述第二倒裝芯片中的電子元器件與所述第二電觸點電性連接；所述第一倒裝芯片中的電子元器件包括聲學諧振器，所述第二倒裝芯片中的電子元器件包括電容器。

11.根據權利要求10所述的制造方法，其特征在于，還包括：在所述第一表面上，形成包覆所述第一倒裝芯片和第二倒裝芯片的塑封結構。

12.根據權利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述形成包覆所述第一倒裝芯片和第二倒裝芯片的塑封結構的步驟包括：

形成包覆所述第一倒裝芯片和第二倒裝芯片的密封薄膜；所述密封薄膜形成后，所述第一倒裝芯片與所述電路基板之間未形成所述第一電觸點的位置形成第一空腔，所述第二倒裝芯片與所述電路基板之間未形成所述第二電觸點的位置形成第二空腔；

使用塑封材料在所述密封薄膜上形成塑封結構。