[發明專利]上電復位電路和對應的電子設備

在審

• 申請號: 202110310136.2
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113437955A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: A·康特;F·托馬約洛;F·拉羅薩
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司;意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22;G11C16/04
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種上電復位POR電路，包括：

電源輸入，被配置為接收電源電壓；

絕對溫度比例PTAT級，具有左支路和右支路，并且所述絕對溫度比例PTAT級被配置為在所述電源電壓達到POR檢測電平時，生成在所述左支路和所述右支路中循環的電流之間的電流平衡條件；

輸出級，被耦合到所述PTAT級，并且所述輸出級被配置為生成復位信號，所述復位信號具有在所述PTAT級出現電流平衡條件時切換的值；以及

檢測電平生成級，被耦合到所述PTAT級作為所述PTAT級的中心支路，并且所述檢測電平生成級被配置為限定所述POR檢測電平的值。

2.根據權利要求1所述的POR電路，其中所述檢測電平生成級被配置為在所述復位信號切換時，生成所述POR檢測電平的值，所述POR檢測電平的值在高電平與低電平之間切換，所述高電平和所述低電平二者都高于帶隙參考電壓。

3.根據權利要求1所述的POR電路，

其中所述檢測電平生成級包括被耦合在所述電源輸入與中心節點之間的中心電阻器元件、與所述中心電阻器元件串聯耦合的半導體結元件、以及與所述半導體結元件并聯耦合的電流注入電阻器元件，使得在操作期間在所述半導體結元件上施加半導體結電壓；以及

其中所述檢測電平生成級被配置為基于在所述中心電阻器元件上的電壓降來限定所述POR檢測電平的值，所述電壓降是由于在所述電流平衡條件下在所述PTAT級的所述左支路和所述右支路中的平衡電流與被配置為通過所述電流注入電阻器元件注入到所述中心電阻器元件中的另一電流的總和而產生的。

4.根據權利要求3所述的POR電路，其中所述檢測電平生成級被配置為將所述POR檢測電平的值限定為在所述中心電阻器元件上的所述電壓降與所述半導體結電壓的總和。

5.根據權利要求3所述的POR電路，其中所述中心電阻器元件和所述電流注入電阻器元件具有基于所述復位信號的值可變的相應的電阻值，并且其中所述復位信號的值的切換確定所述中心電阻器元件的電阻值和所述電流注入電阻器元件的電阻值從相應的第一值切換到與所述相應的第一值不同的相應的第二值。

6.根據權利要求3所述的POR電路，

其中所述PTAT級的所述左支路包括：

第一電流鏡晶體管，被耦合在所述電源輸入與第一內部節點之間，并且所述第一電流鏡晶體管以二極管配置布置，其中左支路電流在所述第一內部節點處流過所述第一電流鏡晶體管；以及

雙極負載晶體管，被耦合在所述第一內部節點與參考端子之間；以及

其中所述PTAT級的所述右支路包括：

相應電流鏡晶體管，被耦合在所述電源輸入與相應第一內部節點之間，并且所述相應電流鏡晶體管具有被耦合到所述第一電流鏡晶體管的柵極端子的柵極端子，其中右支路電流在所述相應第一內部節點處流過所述相應電流鏡晶體管；以及

相應雙極負載晶體管，具有被耦合到所述相應第一內部節點的集電極端子、被耦合到所述左支路的所述負載晶體管的基極端子的基極端子、以及通過負載電阻器元件耦合到所述參考端子的發射極端子；

其中所述右支路的所述相應負載晶體管具有比所述左支路的所述負載晶體管的形狀因子高n倍的形狀因子，其中n大于1。

7.根據權利要求6所述的POR電路，其中所述檢測電平生成級的所述半導體結元件是呈二極管配置的雙極晶體管元件，所述雙極晶體管元件具有被耦合到所述中心電阻器元件的集電極端子、以及基極端子，所述雙極晶體管元件的所述基極端子被耦合到所述電流注入電阻器元件、以及所述左支路的所述負載晶體管的所述基極端子和所述右支路的所述負載晶體管的所述基極端子；

其中所述半導體結電壓是在所述雙極晶體管元件的所述基極端子與所述發射極端子之間的電壓降，并且被配置為通過所述電流注入電阻器元件注入所述中心電阻器元件中的所述另一電流由V_BE/R_x給出，其中V_BE是所述半導體結電壓，并且R_x是所述電流注入電阻器元件的電阻值。