[發(fā)明專利]銅導(dǎo)線的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110309302.7
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113078068B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃馳;張育龍;王永平;曾海
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

1.一種銅導(dǎo)線的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基底層；

在所述基底層的第一表面上中形成開口；

在所述開口的表面形成銅籽層；

從所述基底層的所述第一表面對所述銅籽層加熱，以使所述銅籽層團(tuán)聚在所述開口中形成銅導(dǎo)線；

其中，在所述從所述基底層的所述第一表面對所述銅籽層加熱的步驟中，所述基底層的第二表面被靜電吸附盤吸附。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底層包括襯底和介質(zhì)層，其中，所述介質(zhì)層在所述襯底上形成；所述在所述基底層的第一表面上中形成開口的步驟，具體包括：

在所述介質(zhì)層的所述第一表面上中形成所述開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述從所述基底層的所述第一表面對所述銅籽層加熱，以使所述銅籽層團(tuán)聚在所述開口中形成銅導(dǎo)線的步驟，具體包括：

在所述基底層的所述第一表面上方提供熱源；

在第一預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)，通過所述熱源以熱輻射的方式加熱所述銅籽層；

在第二預(yù)設(shè)時(shí)長內(nèi)，冷卻所述銅籽層以形成所述銅導(dǎo)線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述開口的表面形成銅籽層的步驟，包括：

在所述開口的側(cè)面及底面形成過渡層；

在所述過渡層的表面形成所述銅籽層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述對所述銅籽層加熱以形成銅導(dǎo)線的步驟之后，還包括：

采用電化學(xué)鍍銅工藝，在所述銅導(dǎo)線上繼續(xù)生長銅以完全填滿所述開口。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的形成方法，其特征在于，在所述完全填滿所述開口之后，還包括：

在所述銅導(dǎo)線的表面進(jìn)行平坦化工藝，去除所述開口外的多余銅，以使所述銅導(dǎo)線的表面與所述基底層的第一表面平齊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述開口的表面形成銅籽層的步驟，具體包括：

采用物理氣相沉積工藝在所述開口的表面形成銅籽層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述開口為通過刻蝕工藝對所述基底層進(jìn)行刻蝕以形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述熱源為鹵素?zé)簟?/p>

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述銅籽層在第一預(yù)設(shè)時(shí)長的加熱溫度為300℃～360℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述過渡層的材料為氮化鉭。

12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述過渡層的厚度為2nm～4nm。