[發明專利]一種偏振可調控的太赫茲發生器

在審

• 申請號: 202110308838.7
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN112909711A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 馮正;王大承;譚為;孫松
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: H01S1/02
• 分類號: H01S1/02;G02F1/01
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王云曉

1.一種偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，包括太赫茲核心發生器和外加旋轉磁場發生器；

所述太赫茲核心發生器包括：

襯底；

位于所述襯底第一表面的磁性多層膜；所述磁性多層膜的各膜層沿垂直于所述第一表面的方向依次堆疊，形成自旋太赫茲源；

位于所述襯底與所述第一表面相對設置的第二表面的偏轉多層膜；所述偏轉多層膜包括第一線柵和第二線柵，所述第一線柵與所述第二線柵沿垂直于所述第二表面的方向依次堆疊，所述第一線柵的軸線與所述第二線柵的軸線夾角呈45°，形成太赫茲四分之一波片；

所述外加旋轉磁場發生器由于產生可旋轉的外加磁場，所述外加磁場沿所述磁性多層膜的各膜層表面穿過所述磁性多層膜；所述外加磁場的旋轉方向平行于所述襯底的第一表面。

2.根據權利要求1所述的偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，所述偏轉多層膜包括：

位于所述襯底第二表面的第一隔離層；

位于所述第一隔離層背向所述襯底一側表面的所述第一線柵；

位于所述第一線柵背向所述襯底一側表面的第二隔離層；

位于所述第二隔離層背向所述襯底一側表面的所述第二線柵；

位于所述第二線柵背向所述襯底一側表面的第三隔離層。

3.根據權利要求2所述的偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，所述第一隔離層、所述第二隔離層以及所述第三隔離層均為PI膜。

4.根據權利要求3所述的偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，所述第一線柵和所述第二線柵均為金屬線柵。

5.根據權利要求1所述的偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，所述磁性多層膜包括至少一層線偏振太赫茲發生單元，所述線偏振太赫茲發生單元包括介質層、第一非磁性層、磁性層和第二非磁性層；所述介質層位于所述線偏振太赫茲發生單元背向所述襯底一側。

6.根據權利要求5所述的偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，所述第一非磁性層為Pt或W；所述第二非磁性層為Pt或W；所述磁性層為Fe。

7.根據權利要求6所述的偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，所述第一非磁性層厚度的取值范圍為1nm至5nm，包括端點值；所述第二非磁性層厚度的取值范圍為1nm至5nm，包括端點值；所述磁性層厚度的取值范圍為1nm至5nm，包括端點值；所述介質層厚度的取值范圍為1nm至1000nm，包括端點值。

8.根據權利要求5所述的偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，所述磁性多層膜包括多層所述線偏振太赫茲發生單元，多層所述線偏振太赫茲發生單元沿垂直于所述第一表面的方向依次堆疊。

9.根據權利要求1所述的偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，所述外加旋轉磁場發生器為設置于旋轉架的一對磁鐵塊或四極電磁鐵。

10.根據權利要求1所述的偏振可調控的太赫茲發生器，其特征在于，所述襯底為MgO襯底。