[發明專利]一種AT切石英晶片的有機刻蝕液及刻蝕方法

有效

• 申請號: 202110308451.1
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113061438B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 萬楊;欒興賀;張曉偉;黃大勇
• 申請（專利權）人: 泰晶科技股份有限公司
• 主分類號: C09K13/08
• 分類號: C09K13/08;H01L21/67
• 代理公司: 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231
• 代理人: 陳建軍

1.一種AT切石英晶片的有機刻蝕液的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：將無水氟化氫在低溫加壓的條件下通入到第二有機溶劑中，形成絡合物，隨后將絡合物溶解到第一有機溶劑中，得到AT切石英晶片的有機刻蝕液；所述AT切石英晶片的有機刻蝕液，按重量百分比計，由如下組分組成：無水氟化氫35％～45％、第一有機溶劑33％～39％和第二有機溶劑22％～26％；所述第一有機溶劑為吡啶；所述第二有機溶劑選自二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N,N-二異丙基乙胺、N,N-二甲基丙烯基脲中的一種。

2.根據權利要求1所述AT切石英晶片的有機刻蝕液的制備方法，其特征在于，所述第一有機溶劑與第二有機溶劑的質量比為1.5:1。

3.根據權利要求1所述AT切石英晶片的有機刻蝕液的制備方法，其特征在于，所述低溫加壓的條件具體為：溫度低于-10℃，壓強為0.1～0.8MPa。

4.一種AT切石英晶片的有機刻蝕液，其特征在于，所述AT切石英晶片的有機刻蝕液通過權利要求1～3中任一項所述AT切石英晶片的有機刻蝕液的制備方法得到。

5.一種AT切石英晶片的刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

將待刻蝕的AT切石英晶片投入預先加熱至40～50℃的有機刻蝕液中，進行刻蝕；所述有機刻蝕液為權利要求4所述有機刻蝕液。

6.根據權利要求5所述AT切石英晶片的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕的溫度為45～50℃。

7.根據權利要求5所述AT切石英晶片的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕的時間為10～3000分鐘。