[發(fā)明專(zhuān)利]激光結(jié)合HF濕刻蝕加工TGV通孔的工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110307378.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112864026B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡星周;張繼華;穆俊宏;賈惟聰;李文磊;郭歡 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 三疊紀(jì)(廣東)科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/48 |
| 代理公司: | 成都方圓聿聯(lián)專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 51241 | 代理人: | 李鵬 |
| 地址: | 523947 廣東省東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 結(jié)合 hf 刻蝕 加工 tgv 工藝 | ||
本發(fā)明提供了一種激光結(jié)合HF濕刻蝕加工TGV通孔的工藝,包括A、利用激光在玻璃晶圓上預(yù)設(shè)小孔;B、將玻璃晶圓放入裝有HF溶液的容器,將容器放入超聲設(shè)備中,開(kāi)啟超聲設(shè)備,利用HF溶液將玻璃晶圓上的小孔腐蝕至需要的直徑;C、取出玻璃晶圓,用去離子水清洗干凈;D、檢測(cè)玻璃通孔的孔徑和通透性。通過(guò)激光誘導(dǎo)作用,可采用HF溶液刻蝕出孔徑小于或等于50μm的圓孔,效率高,且通孔內(nèi)壁光滑,錐度小,通孔密度可大于2500個(gè)/cmsupgt;2/supgt;,可有效減小玻璃晶圓的尺寸。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及,尤其是一種激光結(jié)合HF濕刻蝕加工TGV通孔的工藝。
背景技術(shù)
轉(zhuǎn)接板(Interposer)是三維集成微系統(tǒng)中高密度互聯(lián)和集成無(wú)源元件的載體,是實(shí)現(xiàn)三維集成的核心材料。目前數(shù)字電路(如DRAM、邏輯芯片)的三維集成普遍應(yīng)用的是以硅為轉(zhuǎn)接板的通孔技術(shù)(Through-Silicon?Via,TSV)。然而,對(duì)于高頻應(yīng)用,要求轉(zhuǎn)接板材料必須具有低介電損耗和低介電常數(shù),以減少基板的射頻功率耗散、增加自諧振頻率。但是,由于硅是一種半導(dǎo)體材料,TSV周?chē)妮d流子在電場(chǎng)或磁場(chǎng)作用下可以自由移動(dòng),對(duì)鄰近的電路或信號(hào)產(chǎn)生影響,降低芯片高頻性能。此外,也因?yàn)楣璧陌雽?dǎo)體特性,TSV還需要在通孔內(nèi)制作電隔離層、擴(kuò)散阻擋層、種子層以及無(wú)空隙的銅填充,不僅工藝復(fù)雜,而且寄生電容明顯,往往難以滿(mǎn)足三維集成射頻微系統(tǒng)的性能要求。玻璃材料沒(méi)有自由移動(dòng)的電荷,介電性能優(yōu)良,以玻璃替代硅材料的玻璃通孔技術(shù)(Through?Glass?Via,TGV)可以避免TSV的高頻損耗問(wèn)題。此外,TGV技術(shù)可以省去銅填充前的前阻擋層和氧化覆膜層制作;同時(shí)顯著減小鍍銅層與基板之間的過(guò)孔電容,降低過(guò)孔有源和無(wú)源電路之間的電磁干擾。這樣不僅大幅提高射頻微系統(tǒng)的性能、減小體積,而且可大幅降低工藝復(fù)雜度和加工成本。因此,對(duì)射頻微系統(tǒng)而言,玻璃是最合適的轉(zhuǎn)接板材料,而TGV則是理想的射頻微系統(tǒng)三維集成解決方案。
TGV技術(shù)已有許多在玻璃中成孔的方法,包括機(jī)械方法(鉆孔、噴砂)、化學(xué)方法(濕法、等離子刻蝕)以及激光刻蝕方法等。但是,相對(duì)于TSV技術(shù)的成熟,由于玻璃性能的特殊性,TGV技術(shù)面臨的關(guān)鍵問(wèn)題是難以制作高深寬比的玻璃通孔或溝槽。目前普遍采用的激光打孔TGV孔徑大、崩邊、側(cè)壁粗糙、傾斜,并且由于是單點(diǎn)操作,在制作數(shù)量巨大的通孔時(shí)其成本將非常高。例如,基于激光來(lái)實(shí)現(xiàn)基片的通孔加工,最小孔徑約為150μm,最小的孔間距約為50μm,如果要實(shí)現(xiàn)良好的隔離傳輸,按25個(gè)陣列孔的射頻端口進(jìn)行設(shè)計(jì),則每個(gè)傳輸孔陣列單元的尺寸將達(dá)到2mm×2mm以上??傊?,目前TGV技術(shù)在集成度、實(shí)現(xiàn)可接受的側(cè)壁粗糙度、深寬比、可靠性以及總體成本和效率方面還有不少問(wèn)題,遠(yuǎn)未成熟。申請(qǐng)?zhí)枮?02010693932.4的發(fā)明申請(qǐng)公開(kāi)了一種飛秒激光結(jié)合HF濕蝕刻加工TGV的工藝,需要反復(fù)翻面減薄,效率低下。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種激光結(jié)合HF濕刻蝕加工TGV通孔的工藝,解決TGV孔徑大,側(cè)壁粗糙,打孔效率低的問(wèn)題。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:激光結(jié)合HF濕刻蝕加工TGV通孔的工藝,所述工藝由以下步驟構(gòu)成:
A、利用激光在玻璃晶圓上預(yù)設(shè)小孔;
B、將玻璃晶圓放入裝有HF溶液的容器,所述HF溶液的質(zhì)量濃度為8%至15%,所述HF溶液的溫度為20℃到40℃;將容器放入超聲設(shè)備中,開(kāi)啟超聲設(shè)備,所述超聲設(shè)備發(fā)出的超聲波頻率為40KHZ,在60-120min的腐蝕時(shí)間,利用HF溶液將玻璃晶圓上的小孔腐蝕至需要的直徑;
C、取出玻璃晶圓,用去離子水清洗干凈;
D、檢測(cè)玻璃通孔的孔徑和通透性;
所述工藝能夠在120min的腐蝕時(shí)間內(nèi)在玻璃晶圓上得到孔密度大于等于2500個(gè)/cm2的通孔,且通孔的孔徑大小均勻,通孔內(nèi)壁光滑、錐度小。
進(jìn)一步地,步驟C中,清洗在超聲設(shè)備中進(jìn)行。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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