[發明專利]包括垂直互連器的半導體封裝件

在審

• 申請號: 202110307286.8
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN114078819A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 金泰勛;李采城
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體封裝件，該半導體封裝件包括：

至少一個半導體芯片，所述至少一個半導體芯片按照具有芯片焊盤的有源表面面向重分布層的方式設置；

多個垂直互連器，所述多個垂直互連器在垂直方向上從所述芯片焊盤朝向所述重分布層延伸，其中，所述多個垂直互連器中的每一個具有連接到對應芯片焊盤的第一端部和相對于所述第一端部設置在每個垂直互連器的相對端的第二端部；以及

模制層，所述模制層在暴露每個垂直互連器的所述第二端部的表面的同時覆蓋所述半導體芯片和所述多個垂直互連器，

其中，所述重分布層形成在所述模制層上方，所述重分布層具有與所述第二端部的所述表面接觸的重分布焊座，并且

其中，所述第二端部的所述表面的寬度大于每個垂直互連器的所述第一端部和所述第二端部之間的延伸部的寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第二端部的所述表面的所述寬度大于所述第二端部的任何其它部分在水平方向上的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第二端部在水平方向上的寬度隨著所述第二端部在垂直方向上接近所述第二端部的所述表面而增加。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第二端部具有半球形形狀。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，多個所述重分布焊座中的每一個分別與多個所述芯片焊盤中的每一個對準。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第二端部不與所述第二端部的對應芯片焊盤完全對準。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述模制層具有一個表面，所述一個表面被定位成在垂直方向上處于與所述第二端部的所述表面相同的高度。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述重分布層包括：

第一重分布絕緣層，所述第一重分布絕緣層設置在所述模制層上方，并且具有暴露所述第二端部的所述表面的開口；

重分布導電層，所述重分布導電層形成在所述第一重分布絕緣層上方，填充所述開口以形成所述重分布焊座；以及

第二重分布絕緣層，所述第二重分布絕緣層覆蓋所述第一重分布絕緣層和所述重分布導電層。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述多個垂直互連器中的每一個包括垂直接合導線。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述至少一個半導體芯片包括在垂直方向上層疊的多個半導體芯片，并且

其中，所述多個半導體芯片按照使所述多個半導體芯片中的每一個的所有所述芯片焊盤暴露的方式層疊。

11.根據權利要求10所述的半導體封裝件，其中，與所述多個半導體芯片當中的最靠近所述重分布層的半導體芯片連接的垂直互連器包括導電凸塊，而分別與所述多個半導體芯片當中的其余半導體芯片連接的其余垂直互連器包括垂直接合導線。

12.根據權利要求10所述的半導體封裝件，其中，所述多個半導體芯片中的每一個包括相同的存儲器芯片。

13.根據權利要求10所述的半導體封裝件，其中，所述多個半導體芯片中的每一個的所述芯片焊盤設置在所述多個半導體芯片中的每一個的一側的邊緣區域中，并且

其中，所述多個半導體芯片在遠離所述一側的方向上偏移層疊。