[發明專利]芯片老化測試方法與裝置、存儲介質、測試設備在審
| 申請號： | 202110306995.4 | 申請日： | 2021-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN113075529A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 金羅軍;溫佳欣;張桂玉 | 申請（專利權）人： | 北京靈汐科技有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京知帆遠景知識產權代理有限公司 11890 | 代理人： | 崔建鋒 |
| 地址： | 100080 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 老化 測試 方法 裝置 存儲 介質 設備 | ||
1.一種芯片老化測試方法，其特征在于，包括：
確定芯片中的待運行模塊；
根據至少所述待運行模塊定制測試向量；
將所述測試向量輸入所述芯片，以使至少所述待運行模塊進行工作；
獲取芯片溫度，并根據所述芯片溫度對所述測試向量進行控制，以使所述芯片溫度滿足預設的測試要求。
2.如權利要求1所述的芯片老化測試方法，其特征在于，所述待運行模塊為壽命敏感模塊。
3.如權利要求1或2所述的芯片老化測試方法，其特征在于，確定芯片中的待運行模塊，包括：
對所述芯片進行測試，以使所述芯片整體進行工作；
對所述芯片進行全片測溫，以獲取溫升最快的位置；
將所述溫升最快的位置所對應的模塊作為所述待運行模塊。
4.如權利要求3所述的芯片老化測試方法，其特征在于，通過紅外測溫的方式對所述芯片進行全片測溫。
5.如權利要求1或2所述的芯片老化測試方法，其特征在于，在所述待運行模塊進行工作時，還控制所述芯片中與所述待運行模塊的溫度關聯模塊進行工作。
6.如權利要求5所述的芯片老化測試方法，其特征在于，所述芯片中與所述待運行模塊的溫度關聯模塊為所述芯片中的高功耗模塊。
7.如權利要求1或2所述的芯片老化測試方法，其特征在于，通過所述芯片內置的溫度傳感器獲取所述芯片溫度。
8.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，其上存儲有芯片老化測試程序，該芯片老化測試程序被處理器執行時實現如權利要求1-7中任一項所述的芯片老化測試方法。
9.一種測試設備，其特征在于，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的芯片老化測試程序，所述處理器執行所述芯片老化測試程序時，實現如權利要求1-7中任一項所述的芯片老化測試方法。
10.一種芯片老化測試裝置，其特征在于，包括：
確定模塊，用于確定芯片中的待運行模塊，并根據至少所述待運行模塊定制測試向量；
輸入模塊，用于將所述測試向量輸入所述芯片，以使至少所述待運行模塊進行工作；
測試模塊，用于獲取芯片溫度，并根據所述芯片溫度對所述測試向量進行控制，以使所述芯片溫度滿足預設的測試要求。
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