[發(fā)明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110306965.3
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN113451117A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚思博
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

1.一種晶片的加工方法，將晶片分割成各個器件芯片，該晶片在正面上具有由交叉的多條分割預(yù)定線劃分而形成有多個器件的器件區(qū)域和圍繞該器件區(qū)域的外周剩余區(qū)域，其中，

該晶片的加工方法包含如下的工序：

保護(hù)部件配設(shè)工序，將保護(hù)部件配設(shè)在該晶片的正面上；

環(huán)狀改質(zhì)層形成工序，將對于該晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點(diǎn)從該晶片的背面定位于該晶片的與該外周剩余區(qū)域?qū)?yīng)的內(nèi)部而向該晶片照射激光光線，沿著該外周剩余區(qū)域形成第一環(huán)狀改質(zhì)層和圍繞該第一環(huán)狀改質(zhì)層的第二環(huán)狀改質(zhì)層；

分割預(yù)定線改質(zhì)層形成工序，將對于該晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點(diǎn)從該晶片的背面定位于該晶片的與該分割預(yù)定線對應(yīng)的內(nèi)部而向該晶片照射激光光線，沿著該分割預(yù)定線形成分割預(yù)定線改質(zhì)層；以及

分割工序，對該晶片的背面進(jìn)行磨削而將該晶片形成為規(guī)定的厚度，并且通過從該分割預(yù)定線改質(zhì)層沿該分割預(yù)定線延伸的裂紋將該晶片分割成各個器件芯片，

在該分割預(yù)定線改質(zhì)層形成工序中，按照該分割預(yù)定線改質(zhì)層的始點(diǎn)和終點(diǎn)位于該第一環(huán)狀改質(zhì)層與該第二環(huán)狀改質(zhì)層之間的方式定位激光光線的聚光點(diǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

將在該環(huán)狀改質(zhì)層形成工序中形成的該第一環(huán)狀改質(zhì)層與該第二環(huán)狀改質(zhì)層之間的間隔設(shè)定為300μm～1000μm。