[發(fā)明專利]具有靜電放電保護(hù)的無(wú)源可調(diào)諧集成電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110306127.6 | 申請(qǐng)日： | 2021-03-23 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113517859A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-10-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | G·P·威爾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H03D7/16 | 分類(lèi)號(hào)： | H03D7/16 |
| 代理公司： | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美國(guó)亞*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 靜電 放電 保護(hù) 無(wú)源 調(diào)諧 集成電路 | ||
1.一種無(wú)源可調(diào)諧集成電路，所述無(wú)源可調(diào)諧集成電路包括：
可變電容器，所述可變電容器包括耦接在輸入電極與輸出電極之間的電容器陣列，所述電容器陣列中的至少一個(gè)電容器具有耦接到射頻接地電極的可調(diào)諧電介質(zhì)；和
輸入靜電放電保護(hù)電路，所述輸入靜電放電保護(hù)電路耦接在所述輸入電極與所述射頻接地電極之間，所述輸入靜電放電保護(hù)電路包括至少一個(gè)火花隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)源可調(diào)諧集成電路，其中所述電容器陣列包括具有無(wú)曲線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的多個(gè)串聯(lián)連接的電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)源可調(diào)諧集成電路，所述無(wú)源可調(diào)諧集成電路還包括：
輸出靜電放電保護(hù)電路，所述輸出靜電放電保護(hù)電路耦接在所述輸出電極與所述射頻接地電極之間，所述輸出靜電放電保護(hù)電路包括至少一個(gè)火花隙，其中所述輸入靜電放電保護(hù)電路的所述至少一個(gè)火花隙和所述輸出靜電放電保護(hù)電路的所述至少一個(gè)火花隙是平面的并且位于第一金屬層上，并且其中所述輸入電極、所述輸出電極、所述射頻接地電極以及所述至少一個(gè)火花隙位于所述第一金屬層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)源可調(diào)諧集成電路，其中所述至少一個(gè)火花隙包括圓形電極或三角形電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)源可調(diào)諧集成電路，其中所述可調(diào)諧電介質(zhì)為鈦酸鍶鋇(BST)。
6.一種用于移動(dòng)設(shè)備的射頻調(diào)諧器，所述射頻調(diào)諧器包括：
無(wú)源可調(diào)諧集成電路，所述無(wú)源可調(diào)諧集成電路包括：
輸入靜電放電保護(hù)電路，所述輸入靜電放電保護(hù)電路耦接在輸入電極與射頻接地電極之間，所述輸入靜電放電保護(hù)電路包括至少一個(gè)火花隙，所述至少一個(gè)火花隙被配置為將高于觸發(fā)場(chǎng)強(qiáng)的靜電放電耦接到所述射頻接地電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于移動(dòng)設(shè)備的射頻調(diào)諧器，其中所述觸發(fā)場(chǎng)強(qiáng)小于用于所述無(wú)源可調(diào)諧集成電路的可變電容器中的鈦酸鍶鋇的擊穿電壓，所述可變電容器包括根據(jù)無(wú)曲線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)布置的多個(gè)串聯(lián)連接的電容器。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于移動(dòng)設(shè)備的射頻調(diào)諧器，其中所述無(wú)源可調(diào)諧集成電路還包括：
輸出靜電放電保護(hù)電路，所述輸出靜電放電保護(hù)電路耦接在輸出電極與所述射頻接地電極之間，所述輸出靜電放電保護(hù)電路包括至少一個(gè)火花隙，所述至少一個(gè)火花隙被配置為將高于所述觸發(fā)場(chǎng)強(qiáng)的所述靜電放電耦接到所述射頻接地電極。
9.一種保護(hù)無(wú)源可調(diào)諧集成電路免受靜電放電影響的方法，所述方法包括：
制造可變電容器，所述可變電容器包括可調(diào)諧電介質(zhì)材料；
在所述可變電容器上沉積第一金屬層，所述第一金屬層限定輸入電極、輸出電極、射頻接地電極以及耦接在所述輸入電極與所述射頻接地電極之間的至少一個(gè)火花隙；以及
在所述第一金屬層的至少一部分上沉積外涂層，其中所述第一金屬層的所述至少一個(gè)火花隙不具有外涂層，以將所述至少一個(gè)火花隙的擊穿電壓降至低于所述可變電容器的擊穿電壓，使得具有能夠破壞所述可變電容器的電壓的靜電放電被路由至所述射頻接地電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的保護(hù)無(wú)源可調(diào)諧集成電路的方法，所述方法還包括：
從所述至少一個(gè)火花隙移除所述外涂層，以將所述至少一個(gè)火花隙的擊穿電壓降至低于所述可變電容器的擊穿電壓，使得具有能夠損壞所述可變電容器的電壓的靜電放電被路由至所述射頻接地電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述可調(diào)諧電介質(zhì)材料為鈦酸鍶鋇。
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