[發(fā)明專(zhuān)利]一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)現(xiàn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110305868.2
• 申請(qǐng)日: 2021-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113066726B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃宏嘉;林和;牛崇實(shí);洪學(xué)天;張維忠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 弘大芯源（深圳）半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L21/66;H01L29/10
• 代理公司: 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399
• 代理人: 吳金水

1.一種嵌入式晶體管的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于，包括：

步驟1：在目標(biāo)晶體管中設(shè)置嵌入式通道，來(lái)將所述目標(biāo)晶體管中的漏極和源極區(qū)域與柵極邊界間隔預(yù)設(shè)距離；

步驟2：在所述柵極邊界與源極之間以及柵極邊界與漏極之間，分別建立對(duì)應(yīng)的摻雜濃度，構(gòu)成嵌入式晶體管；

所述嵌入式晶體管的結(jié)構(gòu)公式如下：

；

其中，表示所述嵌入式晶體管的通道長(zhǎng)度；表示所述嵌入式晶體管的柵極長(zhǎng)度；a表示所述嵌入式晶體管的柵極至源極或柵極至漏極之間的距離；

同時(shí)，在重?fù)诫s的N+源極和N+漏極之間的區(qū)域?yàn)榈蛽诫s的N-嵌入式通道，所述N-嵌入式通道的長(zhǎng)度大于柵極長(zhǎng)度；

步驟3：對(duì)所述嵌入式晶體管進(jìn)行驗(yàn)證，確定是否合格；

若合格，保持當(dāng)前設(shè)置的嵌入式通道以及建立的摻雜濃度不變；

否則，對(duì)當(dāng)前設(shè)置的嵌入式通道以及建立的摻雜濃度進(jìn)行調(diào)整；

對(duì)所述嵌入式晶體管進(jìn)行驗(yàn)證，確定是否合格，包括：

基于所述嵌入式晶體管進(jìn)行預(yù)設(shè)條件下標(biāo)準(zhǔn)工作，并獲取對(duì)應(yīng)的工作參數(shù)，對(duì)所述工作參數(shù)進(jìn)行分類(lèi)處理，獲得多類(lèi)子數(shù)據(jù)；

獲取驗(yàn)證工具的歷史驗(yàn)證集合，并進(jìn)行預(yù)分析，確定所述驗(yàn)證工具的成功驗(yàn)證次數(shù)以及失敗驗(yàn)證次數(shù)，進(jìn)而確定對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證準(zhǔn)確率；

賦予每個(gè)驗(yàn)證工具對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證權(quán)限以及所述驗(yàn)證權(quán)限的權(quán)重值；

按照驗(yàn)證權(quán)限調(diào)取與所述子數(shù)據(jù)相匹配的驗(yàn)證工具，并按照所述匹配的驗(yàn)證工具對(duì)對(duì)應(yīng)的子數(shù)據(jù)進(jìn)行驗(yàn)證，獲得第一驗(yàn)證結(jié)果；

按照每個(gè)驗(yàn)證工具的驗(yàn)證準(zhǔn)確率以及對(duì)應(yīng)的權(quán)重值，將所述第一驗(yàn)證結(jié)果進(jìn)行加權(quán)求和，生成第二驗(yàn)證結(jié)果；

當(dāng)所述第二驗(yàn)證結(jié)果大于預(yù)設(shè)驗(yàn)證值時(shí)，判定所述嵌入式晶體管不合格，并判斷所述工作參數(shù)存在數(shù)據(jù)缺陷，提取所述工作參數(shù)中的缺陷參數(shù)，對(duì)所述缺陷參數(shù)所構(gòu)成的缺陷事件進(jìn)行邏輯校驗(yàn)；

將邏輯校驗(yàn)結(jié)果與預(yù)設(shè)校驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較，并按照預(yù)設(shè)校驗(yàn)結(jié)果獲取對(duì)應(yīng)的待調(diào)整結(jié)果；

根據(jù)所述待調(diào)整結(jié)果，確定與當(dāng)前設(shè)置的嵌入式通道以及建立的摻雜濃度相關(guān)的待調(diào)整信息，并輸出提醒；

當(dāng)所述第二驗(yàn)證結(jié)果小于預(yù)設(shè)驗(yàn)證值時(shí)，判定所述嵌入式晶體管合格。

2.如權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)方法，其特征在于，步驟1中，在目標(biāo)晶體管中設(shè)置嵌入式通道之前包括：

確定所述目標(biāo)晶體管的型號(hào)，并基于所述型號(hào)調(diào)取不同輸入電壓下所對(duì)應(yīng)的源極和漏極區(qū)域與柵極邊界重疊區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)電場(chǎng)強(qiáng)度；

當(dāng)柵極與源極和漏極之間距離為第一距離時(shí)，按照間隔時(shí)間向所述目標(biāo)晶體管輸入不同目標(biāo)電壓，并測(cè)量對(duì)應(yīng)的源極和漏極區(qū)域與柵極邊界重疊區(qū)域的實(shí)際電場(chǎng)強(qiáng)度，同時(shí)，在測(cè)量得到實(shí)際電場(chǎng)強(qiáng)度的過(guò)程中，監(jiān)測(cè)所述目標(biāo)晶體管的工作參數(shù)集合，所述工作參數(shù)集合包括：當(dāng)前工作溫度、當(dāng)前工作功率；

根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)電場(chǎng)強(qiáng)度以及實(shí)際電場(chǎng)強(qiáng)度，確定所述目標(biāo)晶體管的衰減系數(shù)，同時(shí)，根據(jù)所述工作參數(shù)集合，確定所述目標(biāo)晶體管的工作穩(wěn)定性；

基于第一距離的基礎(chǔ)上按照距離增加規(guī)律進(jìn)行距離增加，得到第二距離，并監(jiān)測(cè)柵極與源極和漏極之間處于第二距離時(shí)，對(duì)應(yīng)的不同目標(biāo)電壓的當(dāng)前電場(chǎng)強(qiáng)度；

從所有當(dāng)前電場(chǎng)強(qiáng)度，確定最佳電場(chǎng)強(qiáng)度集合，判斷所述最佳電場(chǎng)強(qiáng)度集合中是否只存在一個(gè)電場(chǎng)強(qiáng)度數(shù)據(jù)；

若是，基于存儲(chǔ)的一個(gè)電場(chǎng)強(qiáng)度數(shù)據(jù)，確定對(duì)應(yīng)的第二距離；

若不是，基于所述衰減系數(shù)以及工作穩(wěn)定性，從所述最佳電場(chǎng)強(qiáng)度集合中篩選最佳電場(chǎng)強(qiáng)度，并確定對(duì)應(yīng)的第二距離；

其中，所述第二距離即為預(yù)設(shè)距離。