[發(fā)明專利]一種發(fā)光單元的制作方法及發(fā)光單元的制作裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110304709.0
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN112701199A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 北京芯海視界三維科技有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/38;H01L21/768
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種發(fā)光單元的制作方法，包括：在發(fā)光半導(dǎo)體之上設(shè)置絕緣層；發(fā)光半導(dǎo)體從靠近絕緣層的一側(cè)到遠(yuǎn)離絕緣層的一側(cè)，包括依次疊層設(shè)置的第二半導(dǎo)體層、有源層和第一半導(dǎo)體層；在絕緣層設(shè)置第一孔；在第一孔的底面設(shè)置第一歐姆接觸層；在設(shè)置有第一歐姆接觸層的第一孔內(nèi)設(shè)置第一電極；其中，絕緣層的遠(yuǎn)離發(fā)光半導(dǎo)體的一面位于第二半導(dǎo)體層的第一表面的所在平面的上方。本申請?zhí)峁┑闹谱鞣椒軌蚴沟谝粴W姆接觸層的長度與第一電極的截面的長度保持一致，提高了出光比例。本申請還公開了一種發(fā)光單元的制作裝置。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，例如涉及一種發(fā)光單元的制作方法及發(fā)光單元的制作裝置。

背景技術(shù)

目前，在制作發(fā)光單元時，通常需要在半導(dǎo)體層和電極之間設(shè)置歐姆接觸層，以形成歐姆接觸。

在實現(xiàn)本公開實施例的過程中，發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)中至少存在如下問題：

如圖1所示，采用目前的工藝所制作的歐姆接觸層11的長度L1長于設(shè)置在歐姆接觸層11之上的電極12的截面的長度L2，增加了遮光面積，使得直接發(fā)射和反射后經(jīng)過歐姆接觸層11附近的光被歐姆接觸層11遮擋，無法出射到出光面，降低了出光比例。

發(fā)明內(nèi)容

為了對披露的實施例的一些方面有基本的理解，下面給出了簡單的概括。該概括不是泛泛評述，也不是要確定關(guān)鍵／重要組成元素或描繪這些實施例的保護范圍，而是作為后面的詳細(xì)說明的序言。

本公開實施例提供了一種發(fā)光單元的制作方法及發(fā)光單元的制作裝置，以解決歐姆接觸層的長度長于設(shè)置在歐姆接觸層之上的電極的截面的長度，增加了遮光面積，降低了出光比例的技術(shù)問題。

在一些實施例中，一種發(fā)光單元的制作方法，包括：

在發(fā)光半導(dǎo)體之上設(shè)置絕緣層；所述發(fā)光半導(dǎo)體從靠近所述絕緣層的一側(cè)到遠(yuǎn)離所述絕緣層的一側(cè)，包括依次疊層設(shè)置的第二半導(dǎo)體層、有源層和第一半導(dǎo)體層；

在所述絕緣層設(shè)置第一孔；其中，所述第一孔貫穿所述絕緣層的兩個表面，暴露出所述發(fā)光半導(dǎo)體；

在所述第一孔的底面設(shè)置第一歐姆接觸層；

在設(shè)置有所述第一歐姆接觸層的所述第一孔內(nèi)設(shè)置第一電極；

其中，所述絕緣層的遠(yuǎn)離所述發(fā)光半導(dǎo)體的一面位于所述第二半導(dǎo)體層的第一表面的所在平面的上方；

其中，所述第二半導(dǎo)體層的第一表面為所述第二半導(dǎo)體層的遠(yuǎn)離所述有源層的面。

在一些實施例中，所述在發(fā)光半導(dǎo)體之上設(shè)置絕緣層之前，還包括：

制作所述發(fā)光半導(dǎo)體。

在一些實施例中，制作所述發(fā)光半導(dǎo)體，包括：

設(shè)置所述第一半導(dǎo)體層；

在所述第一半導(dǎo)體層之上設(shè)置有源層；

在所述有源層之上設(shè)置第二半導(dǎo)體層。

在一些實施例中，制作所述發(fā)光半導(dǎo)體，還包括：

去除所述發(fā)光半導(dǎo)體的一部分，形成下陷結(jié)構(gòu)，以使得在所述發(fā)光半導(dǎo)體的一側(cè)能至少暴露出所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層。

在一些實施例中，所述在發(fā)光半導(dǎo)體之上設(shè)置絕緣層，包括：

在所述發(fā)光半導(dǎo)體的具有下陷結(jié)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置絕緣層；

其中，所述絕緣層的遠(yuǎn)離所述發(fā)光半導(dǎo)體的面為平面。

在一些實施例中，所述在所述絕緣層設(shè)置第一孔，包括：

在所述絕緣層的遠(yuǎn)離所述發(fā)光半導(dǎo)體的一面設(shè)置第一掩膜圖形；

去除所述絕緣層的未被所述第一掩膜圖形覆蓋的區(qū)域，至所述發(fā)光半導(dǎo)體的第一半導(dǎo)體層或第二半導(dǎo)體層，形成所述第一孔；

其中，所述第一孔的開口在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆蓋所述第一孔的底面。