[發明專利]一種發光單元及發光模組

有效

• 申請號: 202110304660.9
• 申請日: 2021-03-23
• 公開（公告）號: CN112701203B
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 北京芯海視界三維科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/14;H01L33/48;H01L25/16;H01L25/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種發光單元，包括：發光半導體，包括由下向上依次疊層設置的第一半導體層、有源層、第二半導體層，以及由第二半導體層下陷到第一半導體層的下陷結構；透明導電層，設置于第二半導體層的頂面；絕緣層，設置于透明導電層的頂面，以及下陷結構中；絕緣層的頂面位于透明導電層的頂面的所在平面的上方；其中，發光單元內設置有貫穿絕緣層，到達第一半導體層的第一孔；以及貫穿絕緣層，到達透明導電層的第二孔；發光單元還包括第一電極和第二電極，分別設置于第一孔和第二孔內。本申請提供的發光單元可以增加發光單元內的電流傳導性。本申請還公開了一種發光模組。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，例如涉及一種發光單元及發光模組。

背景技術

目前，存在發光單元的內部的電流傳導性差，以及電流傳導不均勻的問題；此外，還存在由于絕緣層的頂面的部分區域的高度低于第二半導體層而導致的封裝困難以及與其他組件連接困難的問題。

發明內容

為了對披露的實施例的一些方面有基本的理解，下面給出了簡單的概括。該概括不是泛泛評述，也不是要確定關鍵／重要組成元素或描繪這些實施例的保護范圍，而是作為后面的詳細說明的序言。

本公開實施例提供了一種發光單元及發光模組，以解決電流傳導性差，以及封裝困難的技術問題。

在一些實施例中，一種發光單元，包括：

發光半導體，包括由下向上依次疊層設置的第一半導體層、有源層、第二半導體層，以及由所述第二半導體層下陷到所述第一半導體層的下陷結構；

透明導電層，設置于所述第二半導體層的頂面；

絕緣層，設置于所述透明導電層的頂面，以及所述下陷結構中；所述絕緣層的頂面位于所述透明導電層的頂面的所在平面的上方；

其中，所述發光單元內設置有貫穿所述絕緣層，到達所述第一半導體層的第一孔；以及貫穿所述絕緣層，到達所述透明導電層的第二孔；

所述發光單元還包括第一電極和第二電極，分別設置于所述第一孔和第二孔內。

在一些實施例中，所述絕緣層的頂面為平面。

在一些實施例中，所述絕緣層包括第一絕緣部和第二絕緣部，設置于所述透明導電層的頂面的所述絕緣層為第一絕緣部，設置于下陷結構中的所述絕緣層為所述第二絕緣部；

其中，所述第一絕緣部的材料和所述第二絕緣部的材料不同或至少部分相同。

在一些實施例中，滿足以下條件中至少之一：

所述第一孔的開口在所述第一孔的底面的所在平面的投影覆蓋所述第一孔的底面；

所述第二孔的開口在所述第二孔的底面的所在平面的投影覆蓋所述第二孔的底面。

在一些實施例中，所述下陷結構包括臺階結構或凹形結構。

在一些實施例中，所述第一電極包括第一歐姆接觸層和第一接觸電極；所述第一歐姆接觸層設置于所述第一孔的底面，所述第一接觸電極設置于所述第一孔中的第一歐姆接觸層上；

所述第二電極包括第二歐姆接觸層和第二接觸電極；所述第二歐姆接觸層設置于所述第二孔的底面，所述第二接觸電極設置于所述第二孔中的第二歐姆接觸層上。

在一些實施例中，所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層的材料相同或不同。

在一些實施例中，所述第一接觸電極和所述第二接觸電極的材料相同或者不同。

在一些實施例中，一種發光模組，包括：發光單元層，所述發光單元層包括多個如上所述的發光單元。

在一些實施例中，多個所述發光單元，包括：