[發(fā)明專利]薄膜晶體管、顯示裝置以及薄膜晶體管制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110304653.9 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113097227B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鮮濟(jì)遙;周佑聯(lián);許哲豪;鄭浩旋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北海惠科光電技術(shù)有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人: | 張志江 |
| 地址: | 536000 廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大*** | 國(guó)省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 顯示裝置 以及 制備 方法 | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種一種薄膜晶體管、顯示裝置以及薄膜晶體管制備方法,其中,薄膜晶體管包括基板以及在基板上依次層疊的第一金屬層、絕緣層、第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、第二金屬層;薄膜晶體管還包括布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)、像素電極以及像素區(qū)域保護(hù)層;布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)設(shè)于絕緣層上,且包裹層疊后的第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和第二金屬層;像素區(qū)域保護(hù)層設(shè)于布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)的一側(cè),像素電極設(shè)于像素區(qū)域保護(hù)層上。本申請(qǐng)通過(guò)在薄膜晶體管中設(shè)置具有反射效果的布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu),利用布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)對(duì)背光源發(fā)出的散射光和折射光進(jìn)行反射,減少背光源所發(fā)出的光進(jìn)入薄膜晶體管的有源層,從而抑制光生載流子,提升顯示裝置的顯示性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及的是一種薄膜晶體管、顯示裝置以及薄膜晶體管制備方法。
背景技術(shù)
這里的陳述僅提供與本申請(qǐng)有關(guān)的背景信息,而不必然構(gòu)成示例性技術(shù)。
薄膜晶體管(TFT)是液晶顯示器的核心部件,而薄膜晶體管的半導(dǎo)體材料a-Si對(duì)光照很敏感,光照后的光電導(dǎo)與沒(méi)有光照時(shí)的暗電導(dǎo)的比值可達(dá)105 數(shù)量級(jí)。
在薄膜晶體管的工作環(huán)境中,源自于背光的光照會(huì)在其工作環(huán)境中形成各種反射光和雜散射光,當(dāng)這些反射光以及雜散射光照射到I-a-Si(氫化非晶硅)半導(dǎo)體中時(shí),會(huì)形成光生載流子(即電子空穴對(duì),電子往漏極方向移動(dòng),空穴往源極方向移動(dòng),從而形成空穴漏電流);光生載流子可以使得漏極電流有很大的提升,嚴(yán)重影響顯示面板的顯示效果;因此,需要阻擋來(lái)自于薄膜晶體管正面及側(cè)面的各種反射光和散射光,防止工作環(huán)境中的反射光和雜散射光進(jìn)入到半導(dǎo)體層,以抑制光生載流子。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)的目的是提供一種一種薄膜晶體管、顯示裝置以及薄膜晶體管制備方法,解決了折射光和散射光進(jìn)入有源層半導(dǎo)體材料從而產(chǎn)生光生載流子的技術(shù)問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括基板以及在所述基板上依次層疊的第一金屬層、絕緣層、第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、第二金屬層;
所述薄膜晶體管還包括布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)、像素電極以及像素區(qū)域保護(hù)層;所述布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)設(shè)于所述絕緣層上,且包裹層疊后的第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和第二金屬層;所述像素區(qū)域保護(hù)層設(shè)于所述布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)的一側(cè),所述像素電極設(shè)于所述像素區(qū)域保護(hù)層上。
可選地,所述第一金屬層包括第一金屬薄膜以及第一光刻膠,所述第一光刻膠涂布在所述第一金屬薄膜的表面。
可選地,所述第二金屬層包括第二金屬薄膜以及第二光刻膠,所述第二光刻膠涂布在所述第二金屬薄膜的表面。
可選地,所述布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)包括交替沉積的第一薄膜以及第二薄膜;所述第一薄膜的折射率大于所述第二薄膜的折射率。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N顯示裝置,所述顯示裝置包括彩膜基板、液晶分子層以及如上所述的薄膜晶體管;所述液晶分子層設(shè)于所述薄膜晶體管與所述彩膜基板之間;
所述薄膜晶體管包括基板以及在所述基板上依次層疊的第一金屬層、絕緣層、第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、第二金屬層;
所述薄膜晶體管還包括布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)、像素電極以及像素區(qū)域保護(hù)層;所述布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)設(shè)于所述絕緣層上,且包裹層疊后的第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和第二金屬層;所述像素區(qū)域保護(hù)層設(shè)于所述布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu)的一側(cè),所述像素電極設(shè)于所述像素區(qū)域保護(hù)層上。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N薄膜晶體管制備方法,用于制造如上所述的薄膜晶體管,所述方法包括:
在基板上形成半導(dǎo)體層以及金屬層;
在所述半導(dǎo)體層以及金屬層上包裹多種折射率的反射薄膜,以形成具有預(yù)設(shè)折射率的布拉格全反射鏡結(jié)構(gòu);以及
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開(kāi)參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開(kāi)參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動(dòng)終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





