[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積方法、三維存儲器及制備方法、存儲器系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110304629.5
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN113053809A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 付家赫;熊少游;程磊;譚力
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強(qiáng)

1.一種化學(xué)氣相沉積方法，其特征在于，包括：

提供功能結(jié)構(gòu)，所述功能結(jié)構(gòu)上設(shè)有通孔；

在所述通孔內(nèi)形成層疊設(shè)置的多個導(dǎo)電層，每個所述導(dǎo)電層包括層疊設(shè)置的形核層與子導(dǎo)電層，所述形核層與所述子導(dǎo)電層的材質(zhì)包括鎢。

2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積方法，其特征在于，“在所述通孔內(nèi)形成層疊設(shè)置的多個導(dǎo)電層”包括：

在所述通孔內(nèi)形成層疊設(shè)置的多個導(dǎo)電層，且所述形核層相較于所述子導(dǎo)電層靠近所述通孔的內(nèi)壁。

3.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積方法，其特征在于，“在所述通孔內(nèi)形成層疊設(shè)置的多個導(dǎo)電層”包括：

在所述通孔內(nèi)形成層疊設(shè)置的多個導(dǎo)電層，且所述多個子導(dǎo)電層中遠(yuǎn)離所述內(nèi)壁的所述子導(dǎo)電層相連接。

4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積方法，其特征在于，“在所述通孔內(nèi)形成層疊設(shè)置的多個導(dǎo)電層”包括：

在所述通孔的內(nèi)壁上或者所述子導(dǎo)電層背離所述內(nèi)壁的一側(cè)形成所述形核層；

在所述形核層背離所述內(nèi)壁的一側(cè)形成所述子導(dǎo)電層。

5.如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積方法，其特征在于，“在所述通孔的內(nèi)壁上或者所述子導(dǎo)電層背離所述內(nèi)壁的一側(cè)形成所述形核層”包括：

向所述通孔內(nèi)通入形核氣體，以在所述通孔的內(nèi)壁上或者所述子導(dǎo)電層背離所述內(nèi)壁的一側(cè)形成所述形核層；其中，所述形核氣體包括六氟化鎢與硅烷。

6.如權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積方法，其特征在于，在“在所述通孔的內(nèi)壁上或者所述子導(dǎo)電層背離所述內(nèi)壁的一側(cè)形成所述形核層”之后，還包括：

對所述形核層進(jìn)行鈍化處理。

7.如權(quán)利要求6所述的化學(xué)氣相沉積方法，其特征在于，“對所述形核層進(jìn)行鈍化處理”包括：

向所述通孔內(nèi)通入鈍化氣體，以對所述形核層進(jìn)行鈍化處理；其中，所述鈍化氣體包括氮?dú)狻?/p>

8.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供襯底，所述襯底上設(shè)有堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的介電層和柵極層，所述堆疊結(jié)構(gòu)的一端形成臺階部，平坦層覆蓋所述襯底與所述堆疊結(jié)構(gòu)；

形成貫穿所述平坦層的第一通孔，位于所述臺階部的所述柵極層自所述第一通孔露出；以及

在所述第一通孔內(nèi)形成層疊設(shè)置的多個第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層接觸所述柵極層，每個所述第一導(dǎo)電層包括層疊設(shè)置的形核層與子導(dǎo)電層，所述形核層與所述子導(dǎo)電層的材質(zhì)包括鎢。

9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，還包括：

形成貫穿所述平坦層的第二通孔，至少部分所述襯底自所述第二通孔露出；

在所述第二通孔內(nèi)形成層疊設(shè)置的多個第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層接觸所述襯底，每個所述第二導(dǎo)電層包括層疊設(shè)置的所述形核層與所述子導(dǎo)電層。

10.一種三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器包括：

襯底；

設(shè)于所述襯底一側(cè)的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括依次層疊設(shè)置的介電層和柵極層；所述堆疊結(jié)構(gòu)包括相連接的臺階部與存儲部；

覆蓋所述襯底與所述堆疊結(jié)構(gòu)的平坦層；以及

貫穿所述平坦層的第一導(dǎo)電件，并與位于所述臺階部的所述柵極層相接觸，所述第一導(dǎo)電件包括層疊設(shè)置的多個第一導(dǎo)電層，每個所述第一導(dǎo)電層包括層疊設(shè)置的形核層與子導(dǎo)電層，所述形核層與所述子導(dǎo)電層的材質(zhì)包括鎢。

11.如權(quán)利要求10所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器還包括：

貫穿所述平坦層的第二導(dǎo)電件，并與所述襯底相接觸，所述第二導(dǎo)電件包括層疊設(shè)置的多個第二導(dǎo)電層，每個所述第二導(dǎo)電層包括層疊設(shè)置的所述形核層與所述子導(dǎo)電層。

12.如權(quán)利要求10所述的三維存儲器，其特征在于，所述多個子導(dǎo)電層中遠(yuǎn)離所述平坦層的所述子導(dǎo)電層相連接。