[發明專利]半導體裝置及形成半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202110303986.X
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN114464679A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 沈宇駿;任啟中;洪雅琪;林玉珠;江文智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/788;H01L21/336;H01L29/423
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種半導體裝置及形成半導體裝置的方法，在一些實施方式中，一或多個半導體處理工具可沉積第一介電層于半導體裝置的基板上。一或多個半導體處理工具可沉積浮動柵極于第一介電層上。一或多個半導體處理工具可沉積第二介電層于浮動柵極上與半導體裝置的基板上。一或多個半導體處理工具可沉積第一控制柵極于第二介電層的一第一部分上。一或多個半導體處理工具可沉積第二控制柵極于第二介電層的一第二部分上，其中第二介電層的第三部分位于第一控制柵極與浮動柵極之間以及位于第二控制柵極與浮動柵極之間。

技術領域

本揭示內容是關于半導體裝置及形成半導體裝置的方法。

背景技術

晶體管是電子裝置中的一種常見類型的半導體裝置，其能夠放大與/或切換電信號。晶體管可以配置有三個端(terminal)以接收一或多個電壓的施加。施加至第一端的電壓可以控制流過第二端與第三端的電流，其中第一端與柵極相關，第二端與源極電壓相關，而第三端與漏極電壓相關。

發明內容

本揭示內容的一些實施方式提供一種半導體裝置，包含：一第一介電層，形成于半導體裝置的一基板上；一浮動柵極，形成于第一介電層上；一第二介電層，位于浮動柵極上與半導體裝置的基板上；一第一控制柵極，形成于第二介電層的一第一部分上；以及一第二控制柵極，形成于第二介電層的一第二部分上，其中第二介電層的一第三部分位于第一控制柵極與浮動柵極之間，并位于第二控制柵極與浮動柵極之間。

本揭示內容的一些實施方式提供一種形成半導體裝置的方法，包含：沉積一第一介電層于一半導體裝置的一基板上；沉積一第一柵極于第一介電層上；沉積一第二介電層于第一柵極上與半導體裝置的基板上；以及沉積一第二柵極于第二介電層的一第一部分上，其中第二介電層的一第二部分位于第一柵極與第二柵極之間。

本揭示內容的一些實施方式提供一種形成半導體裝置的方法，包含：沉積一第一介電層于一半導體裝置的一基板上；沉積一第一浮動柵極于第一介電層的一第一部分上；沉積一第二浮動柵極于第一介電層的一第二部分上；沉積一第二介電層于第一浮動柵極上、第二浮動柵極上、與半導體裝置的基板上；沉積一第一控制柵極于第二介電層的一第一部分上；沉積一第二控制柵極于第二介電層的一第二部分上；以及沉積一第三控制柵極于第二介電層的一第三部分上，其中第二介電層的一第四部分位于第一控制柵極與第一浮動柵極之間以及第二控制柵極與第一浮動柵極之間，以及其中第二介電層的一第五部分位于第三控制柵極與第二浮動柵極之間以及第二控制柵極與第二浮動柵極之間。

附圖說明

本揭示的態樣可由以下的詳細敘述結合附圖閱讀來獲得最佳的理解。應強調，根據工業標準實務，各特征并未按比例繪制，并且僅用于示意的目的。事實上，為了論述的清楚性，各特征的大小可任意地增加或縮小。

圖1是一示例性環境的圖，其內可實施在此敘述的系統及/或方法；

圖2A-圖2L是示出用于制造在此敘述的半導體裝置的操作的順序的圖；

圖3是根據參照圖2A-圖2L所敘述的示例性技術而形成的示例性半導體裝置的圖；

圖4A-圖4D是根據參照圖2A-圖2L所敘述的示例性技術而形成的示例性半導體裝置的圖；

圖5是圖1的一或多個裝置的示例性組件的圖；

圖6與圖7是有關于制造半導體裝置的示例性制程的流程圖。

【符號說明】

100:環境

102:沉積工具

104:蝕刻工具

106:化學機械研磨(CMP)工具

108:離子化工具

110:晶圓/晶粒輸送工具

200:半導體裝置