[發明專利]三維集成電路及其制造方法在審
| 申請號： | 202110303603.9 | 申請日： | 2021-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN112908987A | 公開（公告）日： | 2021-06-04 |
| 發明（設計）人： | 于國慶;王嵩 | 申請（專利權）人： | 西安紫光國芯半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/18 | 分類號： | H01L25/18;H01L23/528;H01L27/108;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京北翔知識產權代理有限公司 11285 | 代理人： | 李星宇;鄭建暉 |
| 地址： | 710075 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三維集成電路 及其 制造 方法 | ||
1.一種三維集成電路，包括：
存儲器晶片，所述存儲器晶片的金屬層設置有多個第一電源線，所述多個第一電源線用于為所述存儲器晶片上的電路供電；
邏輯晶片，所述邏輯晶片的金屬層設置有多個第二電源線，所述多個第二電源線用于為所述存儲器晶片上的電路供電；
其中所述多個第一電源線中的每一個第一電源線與所述多個第二電源線中的一個相應的第二電源線并聯連接。
2.根據權利要求1所述的三維集成電路，其特征在于，所述存儲晶片的頂部金屬層的第一電源線與所述邏輯晶片的頂部金屬層的第二電源線在一一對應的多個位置處混合鍵合。
3.根據權利要求1或2所述的三維集成電路，其特征在于，所述存儲器晶片是動態隨機存儲器晶片。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的三維集成電路，其特征在于，所述邏輯晶片設置有電源管腳，所述電源管腳與所述邏輯晶片的金屬層的第二電源線連接。
5.根據權利要求4所述的三維集成電路，其特征在于，所述多個第一電源線中的至少一個第一電源線被設置在所述存儲器的頂部金屬層中并且在位置上對應于與所述電源管腳都鄰接的第二電源線。
6.根據權利要求5所述三維集成電路，其特征在于，所述混合鍵合的位置包括與所述電源管腳都鄰接的第二電源線與所述電源管腳鄰接的位置。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的三維集成電路，其特征在于，所述存儲器晶片的第一電源線具有不小于10μm的等效寬度。
8.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括根據權利要求1-7中的任一項所述的三維集成電路。
9.一種制造三維集成電路的方法，其特征在于，所述方法包括：
獲取存儲器晶片，所述存儲器晶片的金屬層設置有多個第一電源線，所述多個第一電源線用于給所述存儲器晶片上的電路供電；
獲取邏輯晶片，所述邏輯晶片的金屬層設置有多個第二電源線，所述多個第二電源線用于為所述存儲器晶片上的電路供電；以及
將所述多個第一電源線中的每一個第一電源線與所述多個第二電源線中的一個相應的第二電源線并聯連接。
10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括根據權利要求9所述的方法制造的三維集成電路。
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