[發(fā)明專利]自旋回波變異波譜鍍膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110303571.2
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN113088905B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 焦鑫;梁娟;張峰;吳克墀
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳力合防偽技術(shù)有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/54
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44271
• 代理人: 滿群

本發(fā)明涉及自旋回波變異波譜鍍膜及其制備方法，包括：⑴采用磁控濺射真空鍍膜機在玻璃表面鍍鍍膜物質(zhì)，在沉積過程施加56mT，26μs的磁場脈沖獲得自旋回波變異波譜鍍膜；⑵將自旋回波變異波譜鍍膜和鍍膜物質(zhì)分別用X射線衍射儀測定納米晶型結(jié)構(gòu)；⑶采用按非相干接收方式工作的可變頻率的牛津脈沖自旋回波核磁共振儀進行測量；⑷鍍膜物質(zhì)脈沖自旋回波波峰為252MHZ～352MHZ，自旋?晶格豫馳時間T1：262μS～302μS，T2：23μS～25.2μS、對應(yīng)的自旋回波變異波譜鍍膜脈沖自旋回波波峰為285MHZ～385MHZ，自旋?晶格豫馳時間T1：283μS～352μS，T2：29.2μS～45.5μS。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于磁控鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種自旋回波變異波譜鍍膜及其制備方法。

背景技術(shù)

化學(xué)組成相同的固體，在不同的熱力學(xué)條件下，常會形成晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生改變的同質(zhì)異構(gòu)體，這種現(xiàn)象叫同質(zhì)多晶現(xiàn)象，當(dāng)溫度和壓力條件變化時，變體之間會相互轉(zhuǎn)變，從而晶型轉(zhuǎn)變，由于晶型轉(zhuǎn)變，晶體材料的力學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等性能會發(fā)生巨大變化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種通過控制鍍膜的納米晶型結(jié)構(gòu)及尺寸，進而得到具有不同的自旋回旋波形的自旋回波變異波譜鍍膜，可用于特征識別、材料處理等領(lǐng)域的自旋回波變異波譜鍍膜及其制備方法。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是所述自旋回波變異波譜鍍膜及其制備方法，其特殊之處在于，包括以下步驟：

⑴采用磁控濺射真空鍍膜機，在玻璃表面鍍鍍膜物質(zhì)，并在所述鍍膜物質(zhì)沉積過程施加磁場強度56mT～82mT，反應(yīng)速度26μs～58μs的磁場脈沖獲得自旋回波變異波譜鍍膜；

⑵將所述自旋回波變異波譜鍍膜和鍍膜物質(zhì)分別用X射線衍射儀分析、測定納米晶型結(jié)構(gòu)及尺寸；

⑶采用按非相干接收方式工作的可變頻率的牛津脈沖自旋回波核磁共振儀進行測量；

⑷鍍膜物質(zhì)脈沖自旋回波波峰為252MHZ～352MHZ，自旋-晶格豫馳時間T1：262μS～302μS，T2：23μS～25.2μS、將鍍膜物質(zhì)采用磁控濺射真空鍍鍍膜，并在鍍膜物質(zhì)沉積過程中施加磁場脈沖后得到的自旋回波變異波譜鍍膜其脈沖自旋回波波峰為285MHZ～385MHZ，自旋-晶格豫馳時間T1：283μS～352μS，T2：29.2μS～45.5μS。

作為優(yōu)選：所述鍍膜物質(zhì)選用MnNiGa、FeCo、Fe₇₈B₁₃Si₉、FeSiAl、GdFe₃O_4、Ni中的一種或幾種。

作為優(yōu)選：所述步驟⑴進一步包括：所述鍍膜物質(zhì)包括磁有序結(jié)構(gòu)材料包括鐵磁性、亞鐵磁性材料及其氧化物或氟化物；稀土元素中的釓、鏑及其氧化物或氟化物中的一種或幾種。

作為優(yōu)選：將所述鍍膜物質(zhì)在磁控濺射物理沉積過程中，施加超快磁場脈沖，得到至少一層自旋回波變異波譜鍍膜。

作為優(yōu)選：所述真空鍍膜為通過磁控濺射并在物質(zhì)沉積過程施加超快磁場脈沖獲得的，或者，通過真空蒸鍍或電子束蒸鍍獲得的。

作為優(yōu)選：所述自旋回波變異波譜鍍膜使用X射線衍射儀觀測所得納米晶型結(jié)構(gòu)為球型、枝晶型、尖晶石型、反尖晶石型、正八面體、體心立方(BCC)、面心立方(FCC)、四角體心結(jié)構(gòu)(BCT)和六角密排結(jié)構(gòu)(HCP)、菱形十二面體、斜方晶型不同結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，晶型尺寸6～200nm。

作為優(yōu)選：所述自旋回波變異波譜鍍膜的厚度為15～1800nm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果: