[發(fā)明專利]光量納米聚能器皿

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110303553.4
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN113071779A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜炳聿
• 申請（專利權(quán)）人: 姜炳聿
• 主分類號: B65D1/02
• 分類號: B65D1/02;C04B41/52;C04B41/89
• 代理公司: 北京東靈通專利代理事務(wù)所(普通合伙) 61242
• 代理人: 王榮

1.一種光量納米聚能器皿，其特征在于，包括：

燒結(jié)基層，所述燒結(jié)基層為瓶體結(jié)構(gòu)，并且底部設(shè)有環(huán)形底座；

納米光量聚能層，所述納米光量聚能層包覆于所述燒結(jié)基層外部，并且所述納米光量聚能層對應(yīng)所述環(huán)形底座中央設(shè)有凹槽，所述凹槽內(nèi)嵌設(shè)有太赫茲聚能芯片；

瓷釉層，所述瓷釉層包覆于所述納米光量聚能層外部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光量納米聚能器皿，其特征在于：所述燒結(jié)基層表面開設(shè)有多個貫穿裝飾窗；所述納米光量聚能層覆蓋于所述燒結(jié)基層外壁的下半部；所述瓷釉層，覆蓋與所述燒結(jié)基層內(nèi)壁、外壁以及所述納米光量聚能層外壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光量納米聚能器皿，其特征在于：所述納米光量聚能層的內(nèi)壁與所述燒結(jié)基層的外壁間隔設(shè)置，并形成容納空間；所述納米光量聚能層的底部的所述凹槽內(nèi)設(shè)有與所述容納空間內(nèi)部貫通的注孔；所述容納空間內(nèi)填充柔性粘結(jié)膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光量納米聚能器皿，其特征在于：所述納米光量聚能層由隕石坑礦粉、碧璽納米粉、混合晶礦石粉及高嶺土經(jīng)納米加工超高溫熔合而成；所述混合礦石粉由納米級的硅灰石粉、葉臘石粉、鋯英粉混合而成；所述太赫茲聚能芯片包含托瑪琳成分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光量納米聚能器皿，其特征在于：光量納米聚能器皿制作工藝包括如下步驟：

步驟一、對定型的基層坯料進行一次燒結(jié)，生成燒結(jié)基層；

步驟二、將納米光量聚能層漿料覆蓋于燒結(jié)基層表面，并進行二次燒結(jié)，獲得主體制品；

步驟三、對主體制品進行藝術(shù)加工并噴涂表面釉，然后進行三次燒結(jié)，獲得主體制品；

步驟四、對主體制品進行鑲嵌太赫茲聚能芯片4，完成成品主體。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光量納米聚能器皿，其特征在于：光量納米聚能器皿制作工藝包括如下步驟：

步驟一、對定型的基層坯料以及與所述基層坯料適配的納米光量聚能層坯料進行一次燒結(jié)，分別形成燒結(jié)基層和成型的納米光量聚能層；

步驟二、對燒結(jié)基層以及納米光量聚能層進行拼裝，并通過方解石漿料進行填縫粘接，獲得主體制品；

步驟三、對主體制品進行藝術(shù)加工并噴涂表面釉完成定型制品；

步驟四、對定型制品進行最終燒結(jié)獲得燒結(jié)完成品；

步驟五、對燒結(jié)完成品的內(nèi)部進行填充液態(tài)硅膠，并鑲嵌太赫茲聚能芯片，直至冷卻后固化后獲得完成品。