[發明專利]顯示面板及顯示面板的制備方法在審
| 申請號: | 202110303452.7 | 申請日: | 2021-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN113097411A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 萬之君 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 | ||
1.一種顯示面板,所述顯示面板包括像素發光區域和設置在相鄰兩所述像素發光區域之間的像素非發光區域,其特征在于,所述顯示面板包括:
第一基板和相對所述第一基板設置的第二基板,以及設置在所述第一基板和所述第二基板之間的黑矩陣層和吸濕層;
其中,所述吸濕層設置在所述第二基板上,所述黑矩陣層設置在所述第一基板朝向所述第二基板的一側上,且所述吸濕層和所述黑矩陣層對應的設置在所述像素非發光區域內。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述吸濕層的材料包括吸濕顆粒、溶劑以及分散劑中的至少一種。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述吸濕顆粒包括納米粒子,所述納米粒子包括IIA族金屬和IIA族金屬的氧化物中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述黑矩陣層的厚度小于10um,且所述黑矩陣層相對所述第一基板表面的錐角大于30°。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二基板包括:
陣列基板;
像素定義層,所述像素定義層設置在所述陣列基板上,且設置在所述像素非發光區域對應的位置內;
發光層,所述發光層設置在所述陣列基板上且覆蓋所述像素定義層;
陰極層,所述陰極層設置在所述發光層上;以及,
復合阻擋層,所述復合阻擋層設置在所述陰極層上。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述復合阻擋層包括有機層和無機層,所述有機層與所述無機層相互交替設置。
7.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S100:提供第一基板,并在所述第一基板上設置黑矩陣層;
S101:提供一轉印輥,并在所述轉印輥上制備轉印膜層,所述轉印膜層包括吸濕劑;
S102:將所述轉印膜層圖案化轉印至所述黑矩陣層上,并在所述黑矩陣層上形成吸濕層;
S103:提供第二基板,在所述第二基板上設置像素定義層,并依次在所述第二基板上設置陽極層、發光層以及陰極層;
S104:在所述陰極層上制備復合阻擋層,并將所述復合阻擋層與所述吸濕層粘接,得到所述顯示面板。
8.根據權利要求7所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述步驟S100中,所述黑矩陣層設置在所述顯示面板的像素非發光區域內。
9.根據權利要求7所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述步驟S102中,在轉印所述轉印膜層的過程中,控制所述轉印輥的壓力,使所述轉印膜層在轉印過程中的變形量小于10%。
10.根據權利要求7所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,所述步驟S104中,在制備所述復合阻擋層時,設置無機阻水層和有機緩沖層依次交疊的復合膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





