[發明專利]逆作法大直徑深基坑組合爆破施工方法

在審

• 申請號: 202110303401.4
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN112985210A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 孟慶禮;崔玉音;程培春;鄧美龍;裴晟旭;玉文霞;趙艷;張項寧;王有發;肖輝茹
• 申請（專利權）人: 中國建筑一局（集團）有限公司;中建一局集團安裝工程有限公司
• 主分類號: F42D3/04
• 分類號: F42D3/04;F42D1/00;F42D1/08;E02D17/02
• 代理公司: 北京中建聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 11004
• 代理人: 孫彥斌;晁璐松

1.一種逆作法大直徑深基坑組合爆破施工方法，其特征在于：包括如下步驟：

S1.根據深基坑設計和巖層地質勘探資料以及三軸攪拌樁施工、地下連續墻施工的實際情況確定爆破巖石層的實際深度，并依據地下連續墻內側的內襯墻每節施工高度來確定爆破區每節爆破的實際深度；

S2.基于爆破巖石層的實際深度和爆破區每節爆破的實際深度，進行分區爆破設計，自深基坑中心為基點向基坑外側延伸依次劃分為V字型溝槽中心爆破區、深孔爆破區、淺孔爆破區以及靜態爆破區；

S3.在深基坑完成地下連續墻施工和土方施工至巖石層后，對所述V字型溝槽中心爆破區進行爆破施工；

S4.所述V字型溝槽中心爆破區施工完成后，進行分區施工，分區施工順序按照深孔爆破區、淺孔爆破區以及靜態爆破區依次順序施工；

S5.將本節段的靜態爆破區施工至設計標高后，澆筑內襯墻；本節段內襯墻施工時，同步進行下一節段的V字型溝槽中心爆破區、深孔爆破區、淺孔爆破區的爆破施工，并按照V字型溝槽中心爆破區、深孔爆破區、淺孔爆破區依次順序施工；

S6.當本節段內襯墻施工完畢后，再進行下一節段的靜態爆破區施工，待下一節段的靜態爆破區施工完畢后，再次施工澆筑下一節段內襯墻，由此循環直至完成整體內襯墻和深基坑爆破施工。

2.根據權利要求1所述的逆作法大直徑深基坑組合爆破施工方法，其特征在于：步驟S3中，對所述V字型溝槽中心爆破區進行爆破施工包括：以深基坑圓心為基點，根據實際需要爆破面積確定V字型溝槽中心爆破區的寬度和垂直高度，進行斜向打孔，并在孔洞中裝藥，最后進行V字爆破。

3.根據權利要求2所述的逆作法大直徑深基坑組合爆破施工方法，其特征在于：對所述深孔爆破區施工包括如下步驟：將所述深孔爆破區劃分為第一深孔爆破區和第二深孔爆破區，所述第一深孔爆破區和所述第二深孔爆破區對稱設置在V字型溝槽中心爆破區的兩側，準備爆破階段為第一深孔爆破區和第二深孔爆破區同時進行準備爆破，爆破時先進行第一深孔爆破區爆破，再進行第二深孔爆破區爆破。

4.根據權利要求3所述的逆作法大直徑深基坑組合爆破施工方法，其特征在于：所述V字型溝槽中心爆破區的深度大于所述第一深孔爆破區和第二深孔爆破區的深度，所述第一深孔爆破區和第二深孔爆破區的深度大于所述淺孔爆破區的深度，并且所述第一深孔爆破區的深度等于所述第二深孔爆破區的深度，所述淺孔爆破區的深度大于所述靜態爆破區。

5.根據權利要求4所述的逆作法大直徑深基坑組合爆破施工方法，其特征在于：以深基坑圓心為基點，根據實際需要爆破面積確定V字型溝槽中心爆破區的寬度和垂直高度，進行斜向打孔，并在孔洞中裝藥，最后進行V字爆破具體為：以深基坑圓心為基點，根據實際需要爆破面積確定V字型溝槽中心爆破區的寬度為5m，垂直高度為5-8m，爆破預留高度為1-1.5m，隨后以基坑圓心為基點，以V字型溝槽中心爆破區的寬度5m、裝藥孔洞的豎向長度為5-5.5m為基準，從兩側進行斜向打孔，以形成兩側夾角為30°的V字型裝藥孔洞，然后在所述裝藥孔洞中滑入炸藥，進行V字爆破，待深孔爆破區施工完成后進行剔鑿平整，使V字型溝槽底部距離深孔爆破區平面1-1.5m。

6.根據權利要求3所述的逆作法大直徑深基坑組合爆破施工方法，其特征在于：準備爆破階段所述第一深孔爆破區和第二深孔爆破區同時進行豎直打孔裝藥，深孔爆破區裝藥孔洞的垂直高度為4-4.5m，孔徑為80mm，爆破時先進行第一深孔爆破區爆破，再進行第二深孔爆破區爆破，深孔爆破的垂直高度為5-7m。

7.根據權利要求4所述的逆作法大直徑深基坑組合爆破施工方法，其特征在于：所述淺孔爆破區為環形溝槽結構，所述淺孔爆破區設置在所述V字型溝槽中心爆破區、第一深孔爆破區和第二深孔爆破區的外邊緣的外側，所述淺孔爆破區的范圍在距離深基坑中心點25-45m內，所述靜態爆破區的范圍在深基坑中心點45m外。