[發(fā)明專利]一種高電阻高精度電阻器的實(shí)現(xiàn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110302684.0
• 申請(qǐng)日: 2021-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN113066735B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 牛崇實(shí);林和;洪學(xué)天;黃宏嘉;張維忠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 弘大芯源（深圳）半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L23/64
• 代理公司: 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399
• 代理人: 朱健

1.一種高電阻高精度電阻器的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括：

步驟1：在多晶硅電阻器的多層電介質(zhì)體上沉積多晶硅層，將所述多層電介質(zhì)體與襯底和集成電路元件隔離；

步驟2：對(duì)所述多晶硅層的摻雜區(qū)進(jìn)行高濃度離子摻雜，并采用光刻工藝形成多晶硅區(qū)域，獲得第一電阻器；

步驟3：沉積所述第一電阻器的金屬層后進(jìn)行光刻，與高度合金化區(qū)域接觸，并在預(yù)設(shè)溫度下進(jìn)行退火，得到第二電阻器；

步驟4：對(duì)所述第二電阻器進(jìn)行合格驗(yàn)證，若驗(yàn)證成功，判定所述第二電阻器為高電阻高精度電阻器，否則，對(duì)所述第二電阻器進(jìn)行校正驗(yàn)證，包括：

基于制作所述第二電阻器的半導(dǎo)體工藝，確定測(cè)試的第一電壓以及第二電壓；

向所述第二電阻器進(jìn)行第一電壓測(cè)試，監(jiān)測(cè)基于所述第二電阻器的第一實(shí)際產(chǎn)生電壓，當(dāng)捕捉到所述實(shí)際產(chǎn)生電壓中存在大于預(yù)設(shè)電壓的時(shí)間點(diǎn)時(shí)，調(diào)節(jié)第一電壓為第二電壓，并基于所述時(shí)間點(diǎn)，繼續(xù)監(jiān)測(cè)基于所述第二電阻器的第二實(shí)際產(chǎn)生電壓；

獲取所述第二電阻器基于第一實(shí)際產(chǎn)生電壓下的第一溫度變化以及基于第二實(shí)際產(chǎn)生電壓下的第二溫度變化；

基于所述第二電壓與第一電壓的壓差值以及所述第一溫度變化、第二溫度變化，獲得對(duì)所述第一電壓的調(diào)整電壓量，得到第三電壓；

按照所述第三電壓對(duì)所述第二電阻器進(jìn)行測(cè)試，若在測(cè)試過程中，仍然存在大于預(yù)設(shè)電壓的時(shí)間點(diǎn)，則判定所述第二電阻器不合格；

否則，判定所述第二電阻器為高電阻高精度電阻器；

在判定所述第二電阻器不合格后，對(duì)所述第二電阻器進(jìn)行校正驗(yàn)證，包括：

確定所述摻雜區(qū)的區(qū)域空間，并確定高濃度離子摻雜在所述區(qū)域空間的空間填充度；

當(dāng)所述空間填充度大于預(yù)設(shè)填充度時(shí)，對(duì)所述區(qū)域空間的填充均勻度進(jìn)行判斷；

否則，對(duì)所述第二電阻器進(jìn)行填充校驗(yàn)；

當(dāng)所述填充均勻度小于預(yù)設(shè)均勻度時(shí)，對(duì)所述第二電阻器進(jìn)行均勻度校驗(yàn)；

否則，分別確定摻雜前與摻雜后的電壓變化量以及溫度梯度，對(duì)所述電壓電阻器進(jìn)行預(yù)設(shè)校驗(yàn)。

2.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟2中，對(duì)所述多晶硅層的摻雜區(qū)進(jìn)行高濃度離子摻雜是在所述多晶硅電阻器在金屬化形成之后進(jìn)行的，且對(duì)所述多晶硅層的摻雜區(qū)進(jìn)行高濃度離子摻雜包括：

確定所述第一電阻器的晶粒尺寸，并基于預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)庫(kù)，確定與所述晶粒尺寸相關(guān)的摻雜劑量；

按照所述摻雜劑量對(duì)所述多晶硅層的摻雜區(qū)進(jìn)行離子摻雜。

3.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度的取值范圍為250℃至850℃。

4.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于，

所述多晶硅層中的摻雜區(qū)的深度與多晶硅層的厚度的差值絕對(duì)值小于預(yù)設(shè)值。