[發明專利]音膜結構及揚聲器

在審

• 申請號: 202110302447.4
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN112839290A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 魏少林
• 申請（專利權）人: 國光電器股份有限公司
• 主分類號: H04R9/06
• 分類號: H04R9/06;H04R9/04;H04R9/02;H04R7/08
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本發明具體公開一種音膜結構及揚聲器。本發明的音膜結構包括至少兩個音膜件、至少兩個第一線圈體和至少兩個第二線圈體，音膜件包括音膜體、第一磁路和第二磁路，音膜體包括相對設置的第一側面和第二側面，第一磁路與第一側面固定設置，第二磁路與第二側面固定設置，相鄰的兩個音膜件對稱平鋪設置，音膜體的平面垂直于音膜件的平鋪方向，音膜體設置在第一線圈體和第二線圈體之間，第一線圈體和第二線圈體固定設置，第一磁路的凹槽容納有第一線圈體的端部，第二磁路的凹槽容納有第二線圈體的端部，第一磁路能夠相對第一線圈體靠近或遠離，第二磁路能夠相對第二線圈體靠近或遠離。本發明的音膜結構與空氣耦合度高，電聲轉換效率高和聲壓級高。

技術領域

本發明涉及揚聲器技術領域，尤其涉及一種音膜結構及揚聲器。

背景技術

傳統揚聲器的音膜是以其表面與其相連空氣直接進行耦合的，在音膜振動時帶動空氣振動，從而發出并傳播聲音。因此，一般而言，音膜越大對聲輻射就越有利。

但是對于微型揚聲器而言，音膜的面積遠小于常規揚聲器的音膜面積，不利于微型揚聲器的音膜與空氣耦合，造成微型揚聲器的電聲轉換效率低和聲壓級低下。其中，電聲轉換效率指的是同樣的電能轉換成聲能的未損耗百分比，聲壓級指的是聲軸上距聲源1米處產生的聲壓相對于參考聲壓的分貝數。

發明內容

本發明實施例的一個目的在于，提供一種音膜結構，其空氣耦合度高，電聲轉換效率高和聲壓級高。

本發明實施例的另一個目的在于，提供一種揚聲器，其體積小，電聲轉換效率高和聲壓級高。

為達此目的，本發明實施例采用以下技術方案：

第一方面，提供一種音膜結構，包括至少兩個音膜件、至少兩個第一線圈體和至少兩個第二線圈體，所述音膜件包括音膜體、第一磁路和第二磁路，所述音膜體包括相對設置的第一側面和第二側面，所述第一磁路與所述第一側面固定設置，所述第二磁路與所述第二側面固定設置，相鄰的兩個所述音膜件對稱平鋪設置，所述音膜體的平面垂直于所述音膜件的平鋪方向，所述音膜體設置在所述第一線圈體和所述第二線圈體之間，所述第一線圈體和所述第二線圈體固定設置，所述第一磁路的凹槽容納有所述第一線圈體的端部，所述第二磁路的凹槽容納有所述第二線圈體的端部，所述第一磁路能夠相對所述第一線圈體靠近或遠離，所述第二磁路能夠相對所述第二線圈體靠近或遠離，以使所述音膜體振動發聲。

作為音膜結構的一種優選方案，還包括與所述音膜體平行設置的固定板，所述固定板固定設置在兩個相鄰所述第一線圈體之間，和/或，所述固定板固定設置在兩個相鄰所述第二線圈體之間，所述第一線圈體或所述第二線圈體固定設置在所述固定板上。

作為音膜結構的一種優選方案，所述第一側面設置有第一沉孔，所述第一沉孔能夠容納所述第一磁路，所述第二側面設置有第二沉孔，所述第二沉孔能夠容納所述第二磁路。

作為音膜結構的一種優選方案，所述第一磁路包括第一永磁體、第一導磁碗和第一導磁板，所述第一永磁體設置在所述第一導磁碗的凹槽內，所述第一導磁板設置在所述第一永磁體背離所述第一導磁碗的側面，所述第一線圈體上設置有第一凹槽，所述第一凹槽能夠容納所述第一永磁體，所述第二磁路包括第二永磁體、第二導磁碗和第二導磁板，所述第二永磁體設置在所述第二導磁碗的凹槽內，所述第二導磁板設置在所述第二永磁體背離所述第二導磁碗的側面，所述第二線圈體上設置有第二凹槽，所述第二凹槽能夠容納所述第二永磁體。

作為音膜結構的一種優選方案，一個所述音膜件上的所述第一磁路的數量為至少兩個，所述第二磁路設置在兩個所述第一磁路之間，所述第一線圈體的數量為至少兩個，所述第二線圈體設置在兩個所述第一線圈體之間。

作為音膜結構的一種優選方案，還包括與所述音膜體垂直設置的第一蓋板，所述第一蓋板設置在所述音膜件的一側，所述第一蓋板用于遮蓋每兩個所述音膜體之間的間隙，所述音膜體與所述第一蓋板間隔設置。