[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110301430.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113497108A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林相亨;金志訓(xùn);申美香;張振晧;樸明奎;安娜麗;梁熙元;李斗炯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 車玉珠;康泉 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
設(shè)置在基板上的第一導(dǎo)電圖案;
設(shè)置在所述第一導(dǎo)電圖案上的第一絕緣層;
設(shè)置在所述第一絕緣層上的半導(dǎo)體圖案;
設(shè)置在所述第一絕緣層和所述半導(dǎo)體圖案上的第二絕緣層;以及
設(shè)置在所述第二絕緣層上的第二導(dǎo)電圖案,其中,
所述第一導(dǎo)電圖案的第一邊緣面對(duì)所述第二導(dǎo)電圖案的第二邊緣,
在所述第一導(dǎo)電圖案的所述第一邊緣面對(duì)所述第二導(dǎo)電圖案的所述第二邊緣的區(qū)域中,所述第一導(dǎo)電圖案不與所述第二導(dǎo)電圖案重疊,
所述半導(dǎo)體圖案設(shè)置在所述第一導(dǎo)電圖案的所述第一邊緣面對(duì)所述第二導(dǎo)電圖案的所述第二邊緣的所述區(qū)域中,
所述第二導(dǎo)電圖案與所述第二絕緣層重疊,并且
所述第二絕緣層包括從所述第二導(dǎo)電圖案的所述第二邊緣突出的第三邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述半導(dǎo)體圖案是與信號(hào)線或電極絕緣的虛設(shè)半導(dǎo)體圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述半導(dǎo)體圖案包括氧化物半導(dǎo)體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述半導(dǎo)體圖案在厚度方向上與所述第二絕緣層的所述第三邊緣重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,
所述第二導(dǎo)電圖案在第一方向上延伸,并且
所述半導(dǎo)體圖案在與所述第一方向相交的第二方向上的寬度小于所述第二導(dǎo)電圖案在所述第二方向上的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,其中,所述半導(dǎo)體圖案在所述厚度方向上與所述第一導(dǎo)電圖案的所述第一邊緣和所述第二導(dǎo)電圖案的所述第二邊緣重疊,并且與所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,進(jìn)一步包括:
設(shè)置在所述第二導(dǎo)電圖案上的第三絕緣層;以及
設(shè)置在所述第三絕緣層上的第三導(dǎo)電圖案,
其中,所述半導(dǎo)體圖案與所述第三導(dǎo)電圖案重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中,
所述第三導(dǎo)電圖案在第一方向上延伸,并且
所述第三導(dǎo)電圖案在與所述第一方向相交的第二方向上的寬度小于所述半導(dǎo)體圖案在所述第二方向上的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,其中,
所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案在所述第二方向上延伸,
第一電源電壓被施加到所述第一導(dǎo)電圖案,
所述第二導(dǎo)電圖案?jìng)鬏敀呙栊盘?hào)和感測(cè)信號(hào)中的至少一個(gè),并且
所述第三導(dǎo)電圖案?jìng)鬏敂?shù)據(jù)信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述第一絕緣層在所述第一絕緣層不與所述半導(dǎo)體圖案重疊的區(qū)域中的厚度小于所述第一絕緣層在所述第一絕緣層與所述半導(dǎo)體圖案重疊的區(qū)域中的厚度。
11.一種顯示裝置,包括:
第一導(dǎo)電層,設(shè)置在基板上,并且包括與晶體管的有源層重疊的下遮光圖案和與所述下遮光圖案分離的第一導(dǎo)電圖案;
設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層上的第一絕緣層;
半導(dǎo)體層,設(shè)置在所述第一絕緣層上并且包括所述有源層和與所述有源層絕緣的半導(dǎo)體圖案;
設(shè)置在所述半導(dǎo)體層上的第二絕緣層;以及
第二導(dǎo)電層,設(shè)置在所述第二絕緣層上,并且包括與所述有源層重疊的柵導(dǎo)電圖案和設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案上的第二導(dǎo)電圖案,其中,
所述半導(dǎo)體圖案與所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案重疊,
所述第二導(dǎo)電層與所述第二絕緣層重疊,并且
所述第二絕緣層包括與所述第二導(dǎo)電層重疊的一部分和從所述第二導(dǎo)電層突出的另一部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置,其中,所述半導(dǎo)體圖案是與信號(hào)線或電極絕緣的虛設(shè)半導(dǎo)體圖案。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





