[發(fā)明專利]對(duì)多平面存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程的方法和多平面存儲(chǔ)器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110301415.2
• 申請(qǐng)日: 2020-02-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112965667A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧佳梁;王瑜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G06F3/06
• 分類號(hào): G06F3/06;G06F12/02
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 楊錫勱;趙磊

一種存儲(chǔ)器件，包括多個(gè)平面、行驅(qū)動(dòng)器和控制器。一種對(duì)存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程的方法，包括：在編程操作中，行驅(qū)動(dòng)器向多個(gè)平面中的第一平面中的多個(gè)存儲(chǔ)單元施加編程脈沖；在行驅(qū)動(dòng)器向多個(gè)存儲(chǔ)單元施加編程脈沖之后，控制器驗(yàn)證多個(gè)存儲(chǔ)單元是否已經(jīng)達(dá)到預(yù)定的編程狀態(tài)；以及，如果在多個(gè)存儲(chǔ)單元以及被驗(yàn)證了預(yù)定次數(shù)之后所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的預(yù)設(shè)數(shù)量的存儲(chǔ)單元是否還未達(dá)到預(yù)定的編程狀態(tài)，則控制器禁用第一平面。

本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2020年2月20號(hào)提交的題為“對(duì)多平面存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程的方法”的申請(qǐng)?zhí)枮?02080000277.8的專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器控制，并且具體涉及對(duì)多平面存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程的方法。

背景技術(shù)

非易失性存儲(chǔ)器已廣泛用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、電信、消費(fèi)電子和其它領(lǐng)域。電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)和閃存是其中最廣泛使用的非易失性存儲(chǔ)器。

根據(jù)存儲(chǔ)器陣列的結(jié)構(gòu)配置，可以將存儲(chǔ)器件分為單平面類型和多平面類型。單平面類型存儲(chǔ)器件包括被組織成單個(gè)平面的存儲(chǔ)器陣列，而多平面類型存儲(chǔ)器件包括被組織成多個(gè)平面的存儲(chǔ)器陣列。當(dāng)對(duì)多平面類型存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程時(shí)，可以同時(shí)對(duì)兩個(gè)或更多個(gè)平面進(jìn)行編程以提高編程效率。然而，當(dāng)多平面類型存儲(chǔ)器件包含有缺陷的平面時(shí)，普通平面和有缺陷的平面都將被重復(fù)編程，以試圖將數(shù)據(jù)編程到有缺陷的平面中，從而降低編程速度、降低編程效率、并且增加正常平面中的程序干擾。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器件包括多個(gè)平面、行驅(qū)動(dòng)器和控制器。一種對(duì)存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程的方法，包括：在編程操作中，行驅(qū)動(dòng)器向多個(gè)平面中的第一平面的多個(gè)存儲(chǔ)單元施加編程脈沖；在行驅(qū)動(dòng)器向多個(gè)存儲(chǔ)單元施加編程脈沖之后，控制器驗(yàn)證所述多個(gè)存儲(chǔ)單元是否已經(jīng)達(dá)到預(yù)定編程狀態(tài)；以及，如果在所述多個(gè)存儲(chǔ)單元已經(jīng)被驗(yàn)證了預(yù)定次數(shù)之后，所述多個(gè)存儲(chǔ)單元中的預(yù)定數(shù)量的存儲(chǔ)單元還未達(dá)到預(yù)定的編程狀態(tài)，則所述控制器禁用所述第一平面。

在閱讀以下在各個(gè)附圖和附圖中示出的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述之后，本發(fā)明的這些和其它目的對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員無(wú)疑將變得明顯。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的框圖。

圖2是圖1中的平面的存儲(chǔ)單元的頁(yè)面的示意圖。

圖3是圖1中的列驅(qū)動(dòng)器和控制器的框圖。

圖4是圖1中的控制器的選擇電路的示意圖。

圖5是對(duì)圖1中的存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程的方法的流程圖。

圖6是對(duì)圖1中的存儲(chǔ)器件進(jìn)行編程的另一方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

盡管將參照二維NAND閃存器件來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此配置，而是還可應(yīng)用于三維NAND閃存存儲(chǔ)器件。另外，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，本發(fā)明可適用于其它非易失性存儲(chǔ)器件，例如，電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、NOR閃存存儲(chǔ)器、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻性RAM(RRAM)、鐵電RAM(FRAM)等。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器件1的框圖。存儲(chǔ)器件1具有雙平面結(jié)構(gòu)，并且可以包括控制器10、電壓生成電路11、行解碼器12、列驅(qū)動(dòng)器131、132和平面141、142。盡管在該實(shí)施例中使用了雙平面結(jié)構(gòu)，但是應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的范圍內(nèi)也可以采用其它數(shù)量的平面。可以同時(shí)對(duì)平面141、142進(jìn)行編程。在進(jìn)行編程之后，如果平面141或平面142被驗(yàn)證為失敗達(dá)到預(yù)定次數(shù)，則行驅(qū)動(dòng)器12可以禁止對(duì)失敗的平面141或142進(jìn)行后續(xù)編程。對(duì)失敗的平面的禁止減少了嘗試對(duì)其進(jìn)行編程所花費(fèi)的時(shí)間，并減少了操作平面中的程序干擾。