[發明專利]物理氣相沉積反應室及其使用方法

在審

• 申請號: 202110301292.2
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN115110042A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 范致中;吳昇穎;林明賢;葉書佑
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/50
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本揭露的實施例為一種物理氣相沉積反應室及其使用方法。物理氣相沉積反應室的使用方法包含將基板移動至半導體處理腔室的基板支撐件上方，其中基板支撐件被沉積環環繞；執行沉積制程，沉積制程通過轟擊半導體處理腔室內的靶材，使靶材的材料沉積至基板上方，其中在沉積制程期間，靶材的材料沉積至沉積環的沉積槽內，其中沉積材料與沉積環的底表面的最小垂直距離為約1.78mm至約1.82mm；以及停止沉積制程以及將基板移出半導體處理腔室。

技術領域

本揭露是關于一種物理氣相沉積反應室及其使用方法。

背景技術

物理氣相沉積(Physical vapor deposition；PVD)或濺射為用于制造電子元件的制程。PVD為在真空腔室中執行的電漿制程，其中負偏壓的靶材暴露于具有相對重原子的惰性氣體(例如，氬氣(Ar))或包含此種惰性氣體的氣體混合物的電漿。惰性氣體的離子對靶的轟擊導致靶材的原子的噴射。所噴射的原子作為沉積膜累積在基板上，此基板是放置在設置于腔室內的基板支撐底座上。

發明內容

本揭露的實施例為一種物理氣相沉積反應室的使用方法，包含將基板移動至半導體處理腔室的基板支撐件上方，其中基板支撐件被沉積環環繞；執行沉積制程，沉積制程通過轟擊半導體處理腔室內的靶材，使靶材的材料沉積至基板上方，其中在沉積制程期間，靶材的材料沉積至沉積環的沉積槽內，其中沉積材料與沉積環的底表面的最小垂直距離為約1.78mm至約1.82mm；以及停止沉積制程以及將基板移出半導體處理腔室。

本揭露的實施例為一種物理氣相沉積反應室的使用方法，包含將基板移動至半導體處理腔室的基板支撐件上方，其中基板支撐件被沉積環環繞；執行沉積制程，沉積制程通過轟擊半導體處理腔室內的靶材，使靶材的材料沉積至基板上方，其中在沉積制程期間，靶材的材料具有第一部分沉積至基板的側表面，以及第二部分沉積至沉積環的沉積槽內；調整半導體處理腔室上方的RF源的功率，其中在功率大于約2000千瓦時，材料的第一部分與第二部分仍保持分離；以及停止沉積制程以及將基板移出半導體處理腔室。

本揭露的實施例為一種物理氣相沉積反應室，包含處理腔室；基板支撐件，配置于處理腔室內，并用于支撐基板；沉積環，配置于在沉積制程期間環繞基板支撐件，沉積環具有內周邊表面，其中內周邊表面的內直徑為約294.10mm至約294.20mm，沉積環還包含至少一延伸部，延伸部徑向地向內延伸，并配置于嵌合基板支撐件的凹陷，其中延伸部的厚度為約1.9mm至約2.1mm；以及RF源，配置于處理腔室的上方。

附圖說明

當通過附圖閱讀時，自以下詳細描述，最佳地理解本揭露內容的態樣。注意，根據該行業中的標準實務，各種特征未按比例繪制。事實上，為了論述的清晰起見，可任意地增大或減小各種特征的尺寸。

圖1為本揭露的部分實施例的半導體處理腔室的示意圖；

圖2A為本揭露的部分實施例的半導體處理腔室的組件的俯視圖；

圖2B為本揭露的部分實施例的半導體處理腔室的組件的放大圖；

圖2C為本揭露的部分實施例的半導體處理腔室的組件的剖面圖；

圖3為本揭露的部分實施例的半導體處理腔室的組件的剖面圖；

圖4為本揭露的部分實施例的操作半導體處理腔室的方法；

圖5A至圖5B為本揭露的部分實施例的半導體處理腔室的組件在不同制程步驟下的剖面圖；

圖6A及圖6B為本揭露的部分實施例的計算機系統的示意圖。

【符號說明】

100:半導體處理腔室

101:腔室主體

102:配接器

103:群集工具