[發(fā)明專利]硅基復(fù)合負極材料及其制備方法和全固態(tài)鋰電池在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110300913.5 | 申請日: | 2021-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN115117344A | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 歷彪;郭姿珠;時琢;王國帥 | 申請(專利權(quán))人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/62 | 分類號: | H01M4/62;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/587;H01M10/052;H01M10/058;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強 |
| 地址: | 518118 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合 負極 材料 及其 制備 方法 固態(tài) 鋰電池 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N硅基復(fù)合負極材料,所述硅基復(fù)合負極材料包括硅基材料內(nèi)核,以及依次包覆所述硅基材料內(nèi)核的反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)層和硫系固態(tài)電解質(zhì)層,所述反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)層包括Li3?tOHtA,其中A為Cl、Br和I中的至少一種,0≤t≤2。該硅基復(fù)合負極材料阻抗低,離子電導(dǎo)率高,電化學(xué)性能突出。本申請還提供了該硅基復(fù)合負極材料的制備方法和全固態(tài)鋰電池。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及硅基復(fù)合負極材料及其制備方法和全固態(tài)鋰電池。
背景技術(shù)
近年來,使用固態(tài)電解質(zhì)的全固態(tài)鋰電池因具有較高的安全性而得到廣泛關(guān)注。其中,理論比容量較高、安全性高的硅負極被認為是突破全固態(tài)鋰電池能量密度的有效路徑。但硅負極的離子和電子導(dǎo)電能力較差,通常還需要對其進行表面改性,或加入大量固態(tài)電解質(zhì)和導(dǎo)電劑等添加劑進行輔助,而不具備電化學(xué)活性的添加劑反而降低了硅負極容量、全固態(tài)鋰電池的比能量等性能,制約了全固態(tài)鋰電池的應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請?zhí)峁┮环N硅基復(fù)合負極材料及其制備方法、負極和全固態(tài)鋰電池,該硅基復(fù)合負極材料阻抗低,離子電導(dǎo)率高,電化學(xué)性能突出,由該硅基復(fù)合負極材料制得的電池容量高、循環(huán)性能好,有利于其應(yīng)用。
第一方面,本申請?zhí)峁┝艘环N硅基復(fù)合負極材料,所述硅基復(fù)合負極材料包括硅基材料內(nèi)核,以及依次包覆所述硅基材料內(nèi)核的反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)層和硫系固態(tài)電解質(zhì)層,所述反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)層包括Li3-tOHtA,其中A為Cl、Br和I中的至少一種,0≤t≤2。
可選的,所述硫系固態(tài)電解質(zhì)層的厚度大于所述反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)層的厚度。
可選的,所述反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)層和所述硫系固態(tài)電解質(zhì)層的厚度比為1:(2-100)。
可選的,所述反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)層的厚度為5nm-200nm。
可選的,所述硫系固態(tài)電解質(zhì)層的厚度為20nm-3μm。
可選的,所述硅基材料內(nèi)核的粒徑為10nm-1μm。
可選的,所述硅基材料內(nèi)核包括單質(zhì)硅材料、硅合金材料、硅氧材料和硅碳材料中的至少一種。
進一步的,所述硅合金材料包括鋰硅合金LixSi,0<x≤4.4。
進一步的,所述硅氧材料包括氧化亞硅SiOy,0<y<2。
可選的,所述硫系固態(tài)電解質(zhì)層包括玻璃態(tài)的mLi2S·nP2S5和結(jié)晶態(tài)的LiaPbSc中的至少一種,其中,m+n=100,m>n,a、b和c是大于零的正整數(shù),a+5b=2c,1≤a/b<4。
本申請第一方面提供的硅基復(fù)合負極材料中,反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)層和硫系固態(tài)電解質(zhì)層可以為硅基材料內(nèi)核提供離子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),大幅度提升硅基復(fù)合負極材料的離子電導(dǎo)率,同時,反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)層具有導(dǎo)離子但不導(dǎo)電子的特性,從而可以降低硅基材料內(nèi)核表面電壓,保證硫系固態(tài)電解質(zhì)層不被分解,進而避免了硫系固態(tài)電解質(zhì)層分解產(chǎn)生的阻抗增加的問題,有利于降低界面阻抗,提升硅基復(fù)合負極材料的電化學(xué)性能。
第二方面,本申請還提供了一種硅基復(fù)合負極材料的制備方法,包括:
硅基材料用反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)材料包覆,得到第一包覆物,所述反鈣鈦礦固態(tài)電解質(zhì)材料包括Li3-tOHtA,其中A為Cl、Br和I中的至少一種,0≤t≤2;
所述第一包覆物用硫系固態(tài)電解質(zhì)包覆,得到硅基復(fù)合負極材料。
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