[發(fā)明專利]光掩模、顯示裝置以及該顯示裝置的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110300672.4 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113448160A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 申東熹;李根虎;李龍熙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/44 | 分類號(hào): | G03F1/44;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光掩模 顯示裝置 以及 制造 方法 | ||
1.一種光掩模,包括:
掩模基板;以及
沿所述掩模基板的第一邊緣設(shè)置的第一測(cè)試圖案和第二測(cè)試圖案,
其中所述第一測(cè)試圖案具有第一外部形狀和第一內(nèi)部形狀,
其中所述第二測(cè)試圖案具有第二外部形狀,并且
其中所述第二測(cè)試圖案的所述第二外部形狀大于所述第一測(cè)試圖案的所述第一內(nèi)部形狀,并且小于所述第一測(cè)試圖案的所述第一外部形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模,其中:
所述第一測(cè)試圖案的所述第一外部形狀、所述第一測(cè)試圖案的所述第一內(nèi)部形狀和所述第二測(cè)試圖案的所述第二外部形狀中的每個(gè)具有正方形形狀,
所述第二測(cè)試圖案的所述第二外部形狀的一側(cè)的第一長(zhǎng)度比所述第一測(cè)試圖案的所述第一內(nèi)部形狀的一側(cè)的第二長(zhǎng)度長(zhǎng),并且比所述第一測(cè)試圖案的所述第一外部形狀的一側(cè)的第三長(zhǎng)度短。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模,其中:
所述第二測(cè)試圖案進(jìn)一步具有第二內(nèi)部形狀,并且
所述第二測(cè)試圖案的所述第二內(nèi)部形狀小于所述第一測(cè)試圖案的所述第一內(nèi)部形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光掩模,其中:
所述第一測(cè)試圖案的所述第一外部形狀、所述第一測(cè)試圖案的所述第一內(nèi)部形狀、所述第二測(cè)試圖案的所述第二外部形狀和所述第二測(cè)試圖案的所述第二內(nèi)部形狀中的每個(gè)具有正方形形狀,
所述第二測(cè)試圖案的所述第二外部形狀的一側(cè)的第一長(zhǎng)度比所述第一測(cè)試圖案的所述第一內(nèi)部形狀的一側(cè)的第二長(zhǎng)度長(zhǎng),并且比所述第一測(cè)試圖案的所述第一外部形狀的一側(cè)的第三長(zhǎng)度短,并且
所述第二測(cè)試圖案的所述第二內(nèi)部形狀的一側(cè)的第四長(zhǎng)度比所述第一測(cè)試圖案的所述第一內(nèi)部形狀的一側(cè)的所述第二長(zhǎng)度短。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模,進(jìn)一步包括:
第三測(cè)試圖案和第四測(cè)試圖案,沿面對(duì)所述掩模基板的所述第一邊緣的第二邊緣設(shè)置,
所述第一測(cè)試圖案和所述第三測(cè)試圖案被設(shè)置在與連接所述掩模基板的所述第一邊緣和所述第二邊緣的第三邊緣平行地延伸的第一假想線上,并且
所述第二測(cè)試圖案和所述第四測(cè)試圖案被設(shè)置在與所述第三邊緣平行地延伸的第二假想線上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光掩模,其中:
所述第三測(cè)試圖案具有與所述第一測(cè)試圖案相同的形狀,并且
所述第四測(cè)試圖案具有與所述第二測(cè)試圖案相同的形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光掩模,其中:
所述第一測(cè)試圖案和所述第三測(cè)試圖案在與所述第一假想線垂直的方向上移動(dòng),所述第一測(cè)試圖案與所述第二測(cè)試圖案至少部分地重疊,并且所述第三測(cè)試圖案與所述第四測(cè)試圖案至少部分地重疊。
8.一種顯示裝置的制造方法,包括:
在基板上形成金屬層和光刻膠;
對(duì)齊在所述基板上的光掩模并且將光照射到所述光掩模上;
重復(fù)移動(dòng)所述光掩模并且將所述光照射到所述光掩模上的工藝;
通過顯影所述光刻膠在所述顯示裝置上形成測(cè)試抗蝕劑圖案;
基于所述測(cè)試抗蝕劑圖案的形狀確定所述光掩模的對(duì)齊誤差,并且基于所述對(duì)齊誤差的確定而重復(fù)形成、對(duì)齊、照射、移動(dòng)和顯影的工藝;并且
通過使用所述光刻膠作為掩模刻蝕所述金屬層,
其中所述測(cè)試抗蝕劑圖案包括:
沿所述基板的第一邊緣設(shè)置的第一測(cè)試抗蝕劑圖案、第二測(cè)試抗蝕劑圖案和第三測(cè)試抗蝕劑圖案,
所述第三測(cè)試抗蝕劑圖案被設(shè)置在所述第一測(cè)試抗蝕劑圖案與所述第二測(cè)試抗蝕劑圖案之間,
所述第一測(cè)試抗蝕劑圖案具有第一外部形狀和第一內(nèi)部形狀,
所述第三測(cè)試抗蝕劑圖案具有第三外部形狀和第三內(nèi)部形狀,并且
所述第二測(cè)試抗蝕劑圖案具有第二外部形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法,其中:
所述第二測(cè)試抗蝕劑圖案的所述第二外部形狀大于所述第一測(cè)試抗蝕劑圖案的所述第一內(nèi)部形狀,并且小于所述第一測(cè)試抗蝕劑圖案的所述第一外部形狀。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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