[發(fā)明專利]一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金及其鑄錠制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110299986.7 | 申請日: | 2021-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN113005329A | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王文盛;劉向宏;陳小苗;陳海生;田彥文;張小航;王凱旋;馮勇;張平祥 | 申請(專利權(quán))人: | 西部超導(dǎo)材料科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C22C14/00 | 分類號: | C22C14/00;C22C1/03 |
| 代理公司: | 西安乾方知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人: | 胡思棉 |
| 地址: | 710018 陜西省西安*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 wsti53311 中高 強(qiáng)度 韌性 鈦合金 及其 鑄錠 制備 方法 | ||
1.一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金,其特征在于:該鈦合金的重量百分比組成為:Al:5.5%~6.5%;Mo:2.5%~3.5%;Cr:2.5%~3.5%;Zr:1.0%~2.0%;Nb:0.5%~1.5%;Si:0.05%~0.25%;O:0.08%~0.15%;余量為Ti和不可避免的雜質(zhì);雜質(zhì)元素總量≤0.03%,以上組分重量百分比之和為100%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金,其特征在于,所述Al、Mo、Cr、Nb、Si元素分別來源于二元中間合金,O元素為原料自帶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金,其特征在于,所述Mo采用AlMo合金加入,Cr采用AlCr合金加入,Nb采用NbTi合金加入,Si采用TiSi合金加入,Zr采用0.83mm~12.7mm的顆粒海綿鋯,Ti采用0.83mm~12.7mm的顆粒海綿鈦。
4.一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金鑄錠的制備方法,其特征在于,具體包括如下步驟:
步驟1),制備電極:
按照以下重量百分比配料:Al:5.5%~6.5%,Mo:2.5%~3.5%,Cr:2.5%~3.5%,Zr:1.0%~2.0%,Nb:0.5%~1.5%,Si:0.05%~0.25%,O:0.08%~0.15%,余量為Ti和不可避免的雜質(zhì),雜質(zhì)元素總量不超過0.30%,以上組分重量百分比之和為100%;將所述配料進(jìn)行單塊電極混料,并壓制成電極塊;
步驟2),將電極塊焊接為自耗電極:
步驟3),將自耗電極進(jìn)行多次真空自耗電弧熔煉,得到WSTi53311鈦合金鑄錠。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金鑄錠的制備方法,其特征在于,所述步驟2)中,用夾具夾緊步驟1)得到的電極塊,采用非鎢極氬氣保護(hù)等離子箱將電極塊組焊接為自耗電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金鑄錠的制備方法,其特征在于,所述步驟2)電極塊的焊接電流為220A~400A,焊接電壓為30V~45V。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金鑄錠的制備方法,其特征在于,所述步驟3)中第一次真空自耗電弧熔煉參數(shù)為:坩堝規(guī)格Φ160mm~Φ560mm,熔前真空度≤2.0Pa,漏氣率≤1.0Pa/min,熔煉電壓30V~40V,熔煉電流8kA~24kA,穩(wěn)弧電流直流3.0A~14.0A,冷卻時(shí)間6h~10h。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金鑄錠的制備方法,其特征在于,所述步驟3)中第二次真空自耗電弧熔煉參數(shù)為:坩堝規(guī)格Φ220mm~Φ640mm,熔前真空度≤1.8Pa,漏氣率≤0.8Pa/min,熔煉電壓34V~40V,熔煉電流10kA~28kA,穩(wěn)弧電流交流5.0A~16.0A,冷卻時(shí)間6h~12h。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種WSTi53311中高強(qiáng)度高韌性α+β型鈦合金鑄錠的制備方法,其特征在于,所述步驟3)中第三次真空自耗電弧熔煉參數(shù)為:坩堝規(guī)格Φ280mm~Φ850mm,熔前真空度≤1.8Pa,漏氣率≤0.5Pa/min,熔煉電壓34V~40V,熔煉電流5kA~28kA,穩(wěn)弧電流交流8.0A~18.0A,冷卻時(shí)間6h~12h。
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