[發明專利]一種帶有優化溝槽的化學機械拋光墊及其應用有效
| 申請號： | 202110299881.1 | 申請日： | 2021-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN112959212B | 公開（公告）日： | 2023-03-03 |
| 發明（設計）人： | 謝毓;王凱;田騏源 | 申請（專利權）人： | 萬華化學集團電子材料有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/26 | 分類號： | B24B37/26 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 264006 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 帶有 優化 溝槽 化學 機械拋光 及其 應用 | ||
1.一種帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，包括：
（1）拋光層，其具有環形拋光軌跡區、位于拋光軌跡區內的圓形中間區及拋光軌跡區外部的環形外緣區；所述圓形中間區、環形拋光軌跡區、環形外緣區在拋光層上由拋光墊中心從內到外呈同心圓環分布；其中，所述圓形中間區占所述拋光墊半徑長度的1/4~1/3，環形拋光軌跡區占所述拋光墊半徑長度的1/3~1/2，拋光軌跡區外部的環形外緣區占所述拋光墊半徑長度的1/4~1/3；
（2）位于拋光層表面的溝槽，包括圓周向溝槽及徑向溝槽；所述圓周向溝槽為沿拋光墊中心向外擴散的同心圓形狀的圓周向溝槽；所述徑向溝槽呈對稱分布，并呈放射狀由最靠近拋光墊圓心方向的溝槽處沿半徑方向向外延伸，至拋光軌跡區與環形外緣區交界處的溝槽處，由一條溝槽發散為至少兩條放射狀溝槽；所述至少兩條放射狀溝槽為直線狀或曲線狀，其中，位于外側的直線狀放射狀溝槽的直線方向與半徑方向的夾角或曲線狀放射狀溝槽的曲線切線方向與半徑的夾角為θ，且0°θ≤60°；
所述圓周向溝槽，位于拋光軌跡區內的圓形中間區的溝槽間距為D1，溝槽深度為H1；位于環形拋光軌跡區的溝槽間距為D2，溝槽深度為H2；位于拋光軌跡區外部環形外緣區的溝槽間距為D3，溝槽深度為H3；其中0.25D1≤D2D1、D2D3≤D1，H1H2≤1.5H1、H1≤H3H2。
2.根據權利要求1所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，其特征在于，所述圓周向溝槽深度H1=H3。
3.根據權利要求1所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，其特征在于，所述圓周向溝槽間距D1=D3。
4.根據權利要求1或2或3所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，其特征在于，所述徑向溝槽呈中心對稱分布，數量為m條，0m≤10。
5.根據權利要求4所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，其特征在于，至拋光軌跡區與環形外緣區交界處的溝槽處，所述徑向溝槽由一條溝槽發散為2~4條放射狀溝槽。
6.根據權利要求4所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，其特征在于，所述圓周向溝槽和所述徑向溝槽的溝槽寬度相同。
7.根據權利要求6所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，其特征在于，所述圓周向溝槽和所述徑向溝槽的溝槽寬度為0.2~0.7mm。
8.根據權利要求4所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，其特征在于，所述徑向溝槽的深度為0.2~1.0mm。
9.根據權利要求4所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，其特征在于，位于所述環形拋光軌跡區、位于拋光軌跡區內的圓形中間區及位于拋光軌跡區外部的環形外緣區的三部分圓周向溝槽各自獨立地溝槽間距相同。
10.根據權利要求4所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊，其特征在于，所述拋光層材料選自鏈段嵌段共聚物或聚氨酯彈性體中的至少一種。
11.一種如權利要求1-10任一項所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊在化學機械平坦化中的應用。
12.根據權利要求11所述的帶有優化溝槽的化學機械拋光墊在化學機械平坦化中的應用，其特征在于，在銅晶片、藍寶石、硅片、晶圓的化學機械拋光中的應用。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于萬華化學集團電子材料有限公司，未經萬華化學集團電子材料有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110299881.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
