[發明專利]半導體裝置的制造方法、基板處理裝置以及記錄介質

在審

• 申請號: 202110299505.2
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113451120A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 小川有人;早坂省吾
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/311;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 范勝杰;曹鑫

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，

該制造方法具有蝕刻工序，該蝕刻工序將對形成在基板上的結晶狀膜非同時地進行供給含硼氣體的工序1和供給鹵化物氣體的工序2的循環執行預定次數，由此對所述結晶狀膜進行蝕刻。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述蝕刻工序中依次執行工序1和工序2。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述蝕刻工序還具備供給具有氫基的氣體的工序3，

將非同時地進行工序1～工序3的循環執行預定次數。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述蝕刻工序中，在工序1和工序2之后執行工序3。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述蝕刻工序中依次執行工序1、工序2和工序3。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

該制造方法還具備通過將形成于所述基板上的非晶質膜加熱至預定的結晶化處理溫度而使其結晶化并形成所述結晶狀膜的工序4。

7.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

該制造方法還具備通過將形成于所述基板上的非晶質膜加熱至預定的結晶化處理溫度而使其結晶化并形成所述結晶狀膜的工序4。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在工序4中，通過對第一膜厚的所述非晶質膜進行熱處理來形成所述結晶狀膜，

在所述蝕刻工序中對所述結晶狀膜進行蝕刻，直到成為比所述第一膜厚小的第二膜厚為止。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

使所述第一膜厚的所述非晶質膜結晶化的所述結晶化處理溫度是比為了使所述第二膜厚的所述非晶質膜結晶化所需要的溫度更低的溫度。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述結晶化處理溫度以下的溫度下進行所述蝕刻工序。

11.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

將對所述基板非同時地供給原料氣體和反應氣體的循環執行預定次數，由此形成所述非晶質膜。

12.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

將對所述基板非同時地供給原料氣體和反應氣體的循環執行預定次數，由此形成所述非晶質膜。

13.根據權利要求1～12中任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述結晶狀膜是氧化膜或氮化膜中的至少任意一種。

14.根據權利要求1～12中任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述結晶狀膜是金屬氧化膜或金屬氮化膜中的至少任意一種。

15.根據權利要求1～12中任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述含硼氣體是鹵化物氣體。

16.根據權利要求3～5、7以及12中任意一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述具有氫基的氣體是具有碳氫基的氣體。

17.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述具有氫基的氣體與所述原料氣體是相同的氣體。