[發明專利]一種BaZrS3 在審
| 申請號： | 202110299441.6 | 申請日： | 2021-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN113193073A | 公開（公告）日： | 2021-07-30 |
| 發明（設計）人： | 楊森;周超;于忠海;張垠 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/032;H01L21/363;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/18;C23C14/58;C01G25/00 |
| 代理公司： | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧嬋 |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 bazrs base sub | ||
1.一種BaZrS3太陽能電池薄膜材料的制備方法，所述方法包括以下步驟：
S100、稱取BaZrO3粉末并硫化處理得到靶材A；
S200、將藍寶石放入磁控濺射系統中鍍鎢得到襯底B；
S300、對靶材A和襯底B進行鍍膜得到樣品C；
S400、將樣品C進行熱處理得到最終產物BaZrS3太陽能電池薄膜材料。
2.如權利要求1所述的方法，其中，優選的，其中步驟S100包括：
S101、將稱量好的BaZrS3粉末盛入坩堝放入化學氣相沉積爐，向爐內通氬氣4-8h以排空爐內氧氣；
S102、化學氣相沉積爐內氧氣排空后開始以5℃/min的速率升溫至800-1100℃后，將氬氣通道轉移至裝有CS2溶液的冷阱中保溫3-4h以將BaZrS3粉末完全硫化，其中，所述保溫時間取決于BaZrS3粉末的質量；
S103、待步驟102保溫時間到后設置以5℃/min的速率降溫至800-850℃時，關閉CS2進氣口，將氬氣通道轉移至化學氣相沉積爐，直到爐溫降至室溫，將殘余CS2排除反應管，得到BaZrS3粉末；
S104、將所述BaZrS3粉末用有機溶劑清洗3-5次后干燥，球磨，造粒，然后壓片得到靶材A。
3.如權利要求1所述的方法，其中，步驟S100中所述BaZrO3質量為5-10g，所述硫化處理在化學氣相沉積爐中進行。
4.如權利要求3所述的方法，其中，所述有機溶劑是丙酮、酒精或者乙酸乙酯中的一種。
5.如權利要求1所述的方法，其中，步驟S200包括將所述靶材A放入脈沖激光沉積設備的濺射室中，抽真空至10-5Pa，選擇藍寶石基底，使所述靶材A和所述基底保持間距5-6cm，設置基底溫度500-600℃，打開激光沉積設備濺射1-2h，得到樣品C。
6.如權利要求5所述的方法，其中，所述激光的能量密度在5-6J/cm2。
7.如權利要求1所述的方法，其中，步驟S400中所述熱處理在化學氣相沉積爐中進行。
8.如權利要求1所述的方法，其中，步驟S400包括取出樣品C，將其放入化學氣相沉積爐內通氬氣4-6h后直至排空爐內氧氣，將氬氣通道轉移至裝有CS2溶液的冷阱中然后以5℃/min的速率升溫至500-600℃保溫6-8h后得到最終產物BaZrS3太陽能電池薄膜材料。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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