[發(fā)明專利]一種V2 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110299201.6 | 申請日： | 2021-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN113054050B | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 唐為華;李山;李培剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京郵電大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/109 | 分類號： | H01L31/109;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京清誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11691 | 代理人： | 喻穎 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 base sub | ||
1.一種V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)自供電日盲光電探測器，其特征在于，包括：
V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)，該V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)由作為n型導(dǎo)電的Ga2O3材料和作為p型導(dǎo)電的V2O5材料形成，且該V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)是通過VOx-Ga2O3異質(zhì)結(jié)退火形成；
與所述Ga2O3材料歐姆接觸的第一電極；
與所述V2O5材料歐姆接觸的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)自供電日盲光電探測器，其特征在于，所述Ga2O3材料為薄膜，薄膜厚度為10 nm~5 μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)自供電日盲光電探測器，其特征在于，所述V2O5材料為薄膜，薄膜的厚度為5nm~500 nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)自供電日盲光電探測器，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材料為鋁、銅、銀、鉑、鈦、鎵、銦和金中的一種或多種組合。
5.一種V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)自供電日盲光電探測器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
在襯底上制備Ga2O3薄膜；
在所述Ga2O3薄膜的部分區(qū)域覆蓋形成VOx薄膜，再退火形成V2O5薄膜，以從VOx-Ga2O3異質(zhì)結(jié)形成V2O5-Ga2O3平面異質(zhì)結(jié)；
在未覆蓋V2O5薄膜的Ga2O3薄膜上，以及V2O5薄膜上，分別形成第一電極和第二電極。
6.如權(quán)利要求5所述的V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)自供電日盲光電探測器的制備方法，其特征在于，所述形成V2O5薄膜的步驟包括：
在Ga2O3薄膜的部分區(qū)域旋涂三異丙氧基氧化釩溶液；
加熱蒸干所述溶液的溶劑，使所述三異丙氧基氧化釩分解獲得釩的氧化物；
對所述釩的氧化物進行退火。
7.如權(quán)利要求6所述的V2O5-Ga2O3異質(zhì)結(jié)自供電日盲光電探測器的制備方法，其特征在于，所述三異丙氧基氧化釩溶液的溶劑為甲醇、乙醇、丙醇和異丙醇中的一種或多種組合。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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