[發明專利]一種肖特基二極管結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110298551.0
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN112864255A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 侯欣藍;張清純
• 申請（專利權）人: 光華臨港工程應用技術研發（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47;H01L21/329
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

1.一種肖特基二極管結構，其特征在于，包括：

半導體襯底層；

位于所述半導體襯底層上的漂移層，所述漂移層中具有背向所述半導體襯底層一側的多個間隔的凹槽，多個間隔的凹槽沿著第一方向排布；

多個摻雜層，所述摻雜層分別位于多個所述凹槽沿著第一方向的同一單側側部的漂移層中，所述摻雜層的導電類型與所述漂移層的導電類型相反；

肖特基接觸電極，位于漂移層背向所述半導體襯底層的一側且填充所述凹槽。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，對于位于所述凹槽側部的摻雜層，所述摻雜層在第一方向上的橫向尺寸為0.5μm～1μm。

3.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，所述摻雜層自所述凹槽的一側側部的漂移層延伸至凹槽的部分底部的漂移層中。

4.根據權利要求3所述的肖特基二極管結構，其特征在于，對于位于所述凹槽部分底部的漂移層中的摻雜層，所述摻雜層在第一方向上的尺寸小于或等于所述凹槽的底面在第一方向上的尺寸。

5.根據權利要求3所述的肖特基二極管結構，其特征在于，對于位于所述凹槽部分底部的漂移層中的摻雜層，所述摻雜層的縱向尺寸為0.5μm～1μm。

6.根據權利要求1所述的肖特基二極管結構，其特征在于，還包括：阻擋層；所述凹槽的內壁包括第一區域和第二區域，所述第一區域為所述摻雜層朝向所述凹槽的表面，所述阻擋層至少覆蓋所述凹槽的內壁的第二區域的表面；所述肖特基接觸電極覆蓋所述阻擋層。

7.根據權利要求6所述的肖特基二極管結構，其特征在于，所述阻擋層的厚度為500埃～2000埃。

8.一種權利要求1-7中任一項的肖特基二極管結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底層；

在所述半導體襯底層一側表面形成漂移層；

在所述漂移層中形成背向所述半導體襯底層一側的多個間隔的凹槽，多個凹槽沿著第一方向排布；

在多個所述凹槽沿著第一方向的同一單側側部的漂移層中分別形成摻雜層，所述摻雜層的導電類型與所述漂移層的導電類型相反；

形成摻雜層之后，形成肖特基接觸電極，所述肖特基接觸電極位于漂移層背向所述半導體襯底層的一側且填充所述凹槽。

9.根據權利要求8所述的肖特基二極管結構的制造方法，其特征在于，在形成多個間隔的所述凹槽之前，在所述漂移層的表面形成圖形化的掩膜層；

在所述漂移層中形成背向所述半導體襯底層一側的多個間隔的所述凹槽的步驟為：以圖形化的掩膜層為掩膜刻蝕所述漂移層以形成多個間隔的所述凹槽；

在多個所述凹槽沿著第一方向的同一單側側部的漂移層中分別形成摻雜層的步驟包括：以所述圖形化的掩膜層為掩膜通過離子注入的方法對所述凹槽進行傾斜離子注入；

在形成所述肖特基接觸電極之前，去除所述圖形化的掩膜層。

10.根據權利要求8所述的肖特基二極管結構的制造方法，其特征在于，所述凹槽的內壁表面包括第一區域和第二區域，所述第一區域為所述摻雜層朝向所述凹槽的表面；

所述肖特基二極管結構的制造方法還包括：在形成肖特基接觸電極之前，至少在所述凹槽的的內壁第二區域的表面形成阻擋層。