[發明專利]一種共面波導等效電路結構及其參數提取方法

有效

• 申請號: 202110298384.X
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113191036B
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 呂紅亮;譚戴導;趙冉冉;張玉明;張義門
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G06F30/23
• 分類號: G06F30/23;G06F30/33;G06F111/04;G06F111/06
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本發明公開了一種共面波導等效電路結構及其參數提取方法，共面波導等效電路結構包括：第一等效電容(C_f1)、第二等效電容(C_f2)、第一等效電阻(R_si1)、第二等效電阻(R_si2)、第一等效電感(L_si1)、第二等效電感(L_si2)、第三等效電容(C_ox1)、第四等效電容(C_ox2)、第三等效電阻(R_s)、第三等效電感(L_s)、第四等效電阻(R_sk)以及第四等效電感(L_sk)。本發明建立用于毫米波波段帶地屏蔽層共面波導等效電路結構，不僅保證了結果的準確性，同時包含的電路元件較少，有助于對用于毫米波波段帶地屏蔽層共面波導進行深入分析。

技術領域

本發明屬于集成電路技術領域，具體涉及一種共面波導等效電路結構及其參數提取方法。

背景技術

隨著社會的發展和技術的進步，寬帶通信、高精度雷達和航空遙感等軍民用領域對高頻系統需求越來越迫切。微波毫米波波段以頻帶寬、空間分辨率高、方向性好、地面雜波和多徑效應影響小等優點，在精確制導、電子對抗、軍事通訊、高速智能化武器等軍用方面具有廣泛的應用前景。無源器件的性能是限制毫米波集成電路發展的主要障礙之一。共面波導作為最基本的無源器件，由于其低損耗、特性阻抗變化范圍廣等優點，既可以作為毫米波集成電路中最基本的互連線結構，又可以在匹配電路中作為電容和電感使用，因此一直深受人們關注。

在毫米波集成電路設計中，流片的時間成本和經濟成本都比較高，為了縮短設計周期，提高設計效率，減少人力、物力浪費，提高產品良率是所有設計者都追求的目標。為了實現這一目標，需要建立高精度的器件模型，高效準確的模型是電路設計與工藝實現之間的橋梁，使生產者能夠在工藝實現之前準確預判電路性能，減少電路仿真時間，縮短產品研發周期。因此，建立能夠準確模擬器件特性的等效電路模型，通過等效電路的變化規律來優化設計對應的器件結構對于共面波導的發展至關重要。

目前，毫米波共面波導的設計朝著更廣的應用范圍和更短的設計周期方向發展。為了實現應用范圍更廣的設計需求，模型的精確度和表征范圍也必須滿足更高的要求。隨著應用頻率的升高，模型的準確性會有所下降，這就需要設計者考慮高頻時可能出現的各種寄生效應，結合物理意義建立更高頻也能準確表征的器件模型；同時，隨著應用場景的增加，模型也要從只適用于固定尺寸發展成為適用多種尺寸。

因此，為了實現更短的設計周期需求，對于模型的建立以及優化時間也提出更高的要求。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本發明提供了一種共面波導等效電路結構及其參數提取方法。本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現：

一種共面波導等效電路結構，共面波導等效電路結構包括：第一等效電容(C_f1)、第二等效電容(C_f2)、第一等效電阻(R_si1)、第二等效電阻(R_si2)、第一等效電感(L_si1)、第二等效電感(L_si2)、第三等效電容(C_ox1)、第四等效電容(C_ox2)、第三等效電阻(R_s)、第三等效電感(L_s)、第四等效電阻(R_sk)以及第四等效電感(L_sk)，其中，