[發(fā)明專利]一種中間層改性鈦基氧化鉛電極及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110298113.4 | 申請日： | 2021-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN113072137A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黨媛;張瑞瑞;周元臻 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安建筑科技大學 |
| 主分類號： | C02F1/461 | 分類號： | C02F1/461;C02F1/467;C02F1/72;C02F101/34;C02F101/36 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710055 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 中間層 改性 氧化鉛 電極 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種中間層改性鈦基氧化鉛電極制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
將錫鹽與銫鹽或錫鹽與銻鹽溶解在有機溶劑A中得到前驅(qū)體溶液；
將前驅(qū)體溶液滴在鈦基體材料上，經(jīng)干燥后燒結(jié)得到附著在鈦基體材料上的Cs2O-SnO2或Sb2O3-SnO2中間層，制成Ti/Cs2O-SnO2或Ti/Sb2O3-SnO2電極；
在酸性溶液中對Ti/Cs2O-SnO2或Ti/Sb2O3-SnO2電極進行電沉積電極外層β-PbO2，得到中間層改性鈦基氧化鉛電極Ti/Cs2O-SnO2/PbO2或Ti/Sb2O3-SnO2/PbO2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中間層改性鈦基氧化鉛電極制備方法，其特征在于，所述鈦基體材料需經(jīng)過拋光、堿洗、酸洗和蝕刻預(yù)處理后與前驅(qū)體溶液反應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中間層改性鈦基氧化鉛電極制備方法，其特征在于，所述錫鹽與銫鹽或錫鹽與銻鹽按照摩爾比例為20：1～20：4溶解在10±5ml有機溶劑A中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中間層改性鈦基氧化鉛電極制備方法，其特征在于，有機溶劑A為乙二醇溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中間層改性鈦基氧化鉛電極制備方法，其特征在于，前驅(qū)體溶液滴鈦基體材料上，在100±5℃下干燥60±5min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中間層改性鈦基氧化鉛電極制備方法，其特征在于，所述經(jīng)干燥后燒結(jié)的溫度在500±5℃，燒結(jié)的時間在60～120min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中間層改性鈦基氧化鉛電極制備方法，其特征在于，在錫鹽和銫鹽溶解在有機溶劑A中時，所述錫鹽的濃度為0.3～0.5mol/L，銫鹽的濃度為0.25～0.1mol/L。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中間層改性鈦基氧化鉛電極制備方法，其特征在于，在酸性溶液中對Ti/Cs2O-SnO2或Ti/Sb2O3-SnO2電極進行電沉積電極外層的溫度保持在60±5℃，電沉積電極外層的電流密度為0.01～0.03A，電沉積電極外層的時間為1～2h。
9.一種中間層改性鈦基氧化鉛電極，其特征在于，采用權(quán)利要求1-8任意一項所述的一種鈦基氧化鉛電極的制備方法制備得到。
10.采用權(quán)利要求9所述的一種中間層改性鈦基氧化鉛電極，應(yīng)用在喹諾酮類抗生素廢水電催化氧化降解中作為陽極。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安建筑科技大學，未經(jīng)西安建筑科技大學許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110298113.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
