[發(fā)明專利]一種基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110297508.2
• 申請(qǐng)日: 2021-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113031313A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高鼎;程志淵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): G02F1/01
• 分類號(hào): G02F1/01;G02F1/00;G02B5/00;G02B1/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 應(yīng)孔月

1.一種基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，包括：

分區(qū)控制電極，位于最底層，用于控制薄膜不同區(qū)域當(dāng)中相變材料的相態(tài)；

第一光子晶體層，在所述分區(qū)控制電極上部，用于實(shí)現(xiàn)8-14um波段的輻射率調(diào)控；

第二光子晶體層，在所述第一光子晶體層上面，用于實(shí)現(xiàn)3-5um波段的輻射率調(diào)控；

超表面輻射層，在所述第二光子晶體層上面，用于實(shí)現(xiàn)5-8um波段的高輻射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，所述分區(qū)控制電極由金屬構(gòu)成，在外界電路的控制下，通過(guò)不同脈寬與不同幅值的電流脈沖來(lái)控制相變材料的相態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，所述第一光子晶體層和第二光子晶體層均由相變材料薄膜和電介質(zhì)材料薄膜交替生長(zhǎng)構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，所述相變材料為鍺銻碲合金、硫化銻、二氧化釩、鍺銻合金中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，所述電介質(zhì)材料為二氧化硅、硫化鋅、鍺、氮化鈦中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，所述第一光子晶體層的相變材料薄膜厚度為300-1500nm，電介質(zhì)材料薄膜厚度為500-2000nm；所述第二光子晶體層的相變材料薄膜厚度為80-500nm，電介質(zhì)材料厚度為100-800nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，所述的第一光子晶體層滿足以下條件：

當(dāng)相變材料處于非晶態(tài)時(shí)，所述第一光子晶體層在8-14um波段處于低輻射率狀態(tài)。

當(dāng)相變材料處于晶態(tài)時(shí)，所述第一光子晶體層在8-14um波段處于高輻射率狀態(tài)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，所述的第二光子晶體層滿足以下條件：

當(dāng)相變材料處于非晶態(tài)時(shí)，所述第二光子晶體層在3-5um波段處于低輻射率狀態(tài)。

當(dāng)相變材料處于晶態(tài)時(shí)，所述第二光子晶體層在3-5um波段處于高輻射率狀態(tài)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，所述超表面輻射層由二維排列的納米陣列構(gòu)成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于相變材料的可調(diào)控紅外偽裝與隱身薄膜，其特征在于，所述納米陣列由金屬基元組合排列構(gòu)成，所述金屬為銅、鋁、金、銀中的一種。