[發明專利]存儲器的制作方法及存儲器

有效

• 申請號: 202110297346.2
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN112928070B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 劉濤;夏軍;占康澍;李森;宛強;徐朋輝
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;臧建明

本發明提供一種存儲器的制作方法及存儲器，涉及存儲設備技術領域，用于解決存儲器的良率較低的技術問題。該存儲器的制作方法包括：提供基底，基底中形成有電容接觸墊；在基底上形成疊層結構；疊層結構包括形成在基底上的第一疊層結構和形成在第一疊層結構上的第二疊層結構；在第二疊層結構內形成第一通孔；在第一通孔的側壁形成保護層，位于第一通孔內的保護層圍設形成第二通孔；沿第二通孔刻蝕所述第一疊層結構，形成第三通孔，且所述第三通孔暴露出所述電容接觸墊。通過保護層保護第一通孔的側壁，減少或者避免后續刻蝕氣體或者刻蝕液體損傷第一通孔的側壁，以減少或者避免第一通孔的側壁彎曲甚至第一通孔刻穿，提高存儲器的良率。

技術領域

本發明涉及存儲設備技術領域，尤其涉及一種存儲器的制作方法及存儲器。

背景技術

動態隨機存儲器(Dynamic?random?access?memory，簡稱Dram)是一種高速地、隨機地寫入和讀取數據的半導體存儲器，被廣泛地應用到數據存儲設備或裝置中。動態隨機存儲器通常包括疊層結構，疊層結構中形成有電容孔，電容孔中用于形成電容結構，通過檢測電容結構的存儲電荷來實現數據的讀取。

相關技術中，在制作存儲器時，先在疊層結構上形成掩膜層，掩膜層上具有多個蝕刻孔，沿著蝕刻孔對疊層結構進行蝕刻，以形成電容孔。在形成的電容孔的過程中，電容孔的頂部的刻蝕時間較長，電容孔的頂部的關鍵尺寸(Critical?Dimension，簡稱CD)通常大于電容孔的底部的關鍵尺寸，甚至在電容孔的底部存在不完全刻蝕的現象，導致存儲器的良率較低。為減小電容孔的頂部與底部之間的關鍵尺寸的差值，通常對疊層結構進行過刻蝕，以增大電容孔的底部的關鍵尺寸。

然而，參照圖1，在對疊層結構600進行過刻蝕過程中，易形成彎曲的電容孔610的側壁，甚至使電容孔610刻穿，導致電容結構短路，存儲器的良率較低。

發明內容

鑒于上述問題，本發明實施例提供一種存儲器的制作方法及存儲器，用于提高存儲器的良率。

為了實現上述目的，本發明實施例提供如下技術方案：

第一方面，本發明實施例提供一種存儲器的制作方法，包括：提供基底，所述基底中形成有電容接觸墊；在所述基底上形成疊層結構；所述疊層結構包括形成在所述基底上的第一疊層結構和形成在所述第一疊層結構上的第二疊層結構；在所述第二疊層結構內形成第一通孔；在所述第一通孔的側壁形成保護層，位于所述第一通孔內的所述保護層圍設形成第二通孔；沿第二通孔刻蝕所述第一疊層結構，形成第三通孔，且所述第三通孔暴露出所述電容接觸墊。

本發明實施例提供的存儲器的制作方法具有如下優點：

本發明實施例提供的存儲器的制作方法中，先提供基底，基底中形成有電容接觸墊；在基底上形成疊層結構，疊層結構包括形成在基底上的第一疊層結構和形成在第一疊層結構上的第二疊層結構；在第二疊層結構內形成第一通孔；在第一通孔的側壁形成保護層，位于第一通孔內的保護層圍設形成第二通孔；沿第二通孔刻蝕第一疊層結構，形成第三通孔，且第三通孔暴露出電容接觸墊。通過保護層保護第一通孔的側壁，減少或者避免形成第三通孔時，刻蝕氣體或者刻蝕液體損傷第一通孔的側壁，以減少或者避免第一通孔的側壁彎曲甚至第一通孔刻穿，從而提高存儲器的良率。此外，第一通孔和第三通孔構成電容孔，通過將高深寬比的電容孔分為兩次刻蝕，減小電容孔的頂部與底部之間的關鍵尺寸的差值，更易獲得垂直的電容孔，進一步提高存儲器的良率。

如上所述的存儲器的制作方法中，所述疊層結構包括依次堆疊設置的n層犧牲層和n+1層支撐層，其中，n為大于或者等于2的正整數；所述第一疊層結構和所述第二疊層結構分別包括至少一層所述犧牲層。

如上所述的存儲器的制作方法中，所述第一通孔貫穿i層所述犧牲層，所述第三通孔貫穿剩余的n-i層所述犧牲層，其中，i為大于或者等于1，且小于n的正整數。

如上所述的存儲器的制作方法中，所述第三通孔的寬度尺寸等于所述第二通孔的寬度尺寸。