[發(fā)明專利]一種RDL電感補償?shù)墓柰锥ㄏ蝰詈掀?/span>有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110297244.0 | 申請日： | 2021-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN113113754B | 公開（公告）日： | 2022-04-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王鳳娟;肖灑;余寧梅;楊媛;朱樟明;尹湘坤 | 申請（專利權）人： | 西安理工大學 |
| 主分類號： | H01P5/18 | 分類號： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人： | 寧文濤 |
| 地址： | 710048 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 rdl 電感 補償 硅通孔 定向耦合器 | ||
1.一種RDL電感補償?shù)墓柰锥ㄏ蝰詈掀鳎涮卣髟谟冢喊ü枰r底，沿硅襯底的中心軸線兩側分別對稱設有通孔，兩個所述通孔內分別同軸設有TSV-I和TSV-II，TSV-I的上端連接輸入臂的一端，輸入臂的另一端上方設有RDL電感I；TSV-I的下端連接直通臂的一端，直通臂的另一端下方設有RDL電感II；
TSV-II的上端連接耦合臂的一端，耦合臂的另一端上方設有RDL電感III，TSV-II的下端連接隔離臂的一端，隔離臂的另一端下方設有RDL電感IV；
所述TSV-I包括TSV-I銅柱，TSV-I銅柱的外壁同軸包覆有隔離層；
所述TSV-II包括TSV-II銅柱，TSV-II銅柱的外壁同軸包覆有隔離層；
輸入臂、RDL電感I、耦合臂、RDL電感III均掩埋在上氧化層內；
直通臂、RDL電感II、隔離臂及RDL電感IV均掩埋在下氧化層內。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種RDL電感補償?shù)墓柰锥ㄏ蝰詈掀鳎涮卣髟谟冢核鲚斎氡叟cRDL電感I之間、直通臂與RDL電感II之間、耦合臂與RDL電感III之間、隔離臂與RDL電感IV之間均采用金屬柱連接。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種RDL電感補償?shù)墓柰锥ㄏ蝰詈掀鳎涮卣髟谟冢核龈綦x層采用的材料為二氧化硅。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種RDL電感補償?shù)墓柰锥ㄏ蝰詈掀鳎涮卣髟谟冢核鲚斎氡邸Ⅰ詈媳邸⒅蓖ū邸⒏綦x臂均采用RDL層。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種RDL電感補償?shù)墓柰锥ㄏ蝰詈掀鳎涮卣髟谟冢核鯮DL電感I、RDL電感II、RDL電感III、RDL電感IV的材料均為銅。
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