[發(fā)明專利]顯示器件的蒸鍍裝置和蒸鍍方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110296943.3 | 申請日: | 2021-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN113061847A | 公開(公告)日: | 2021-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王虎;許瑾;趙偉;曹方義;夏曾強(qiáng);王宏宇;周小康;蔡明瀚;魏現(xiàn)鶴;艾經(jīng)偉;張小慶 | 申請(專利權(quán))人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24;C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 尹紅敏 |
| 地址: | 065500 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 器件 裝置 方法 | ||
本申請公開了一種顯示器件的蒸鍍裝置和蒸鍍方法。本申請實施例的蒸鍍裝置包括蒸鍍基臺和蒸鍍單元。蒸鍍基臺用于固定待蒸鍍器件。蒸鍍單元與蒸鍍基臺相對設(shè)置且能夠沿第一方向移動,蒸鍍單元包括用于在待蒸鍍器件上蒸鍍不同材料的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源,第一蒸鍍源和第二蒸鍍源沿第一方向設(shè)置;在同一時刻,第一蒸鍍源在待蒸鍍器件上的第一蒸鍍區(qū)域包括沿第一方向設(shè)置的第一部分和第二部分,第二蒸鍍源在待蒸鍍器件上的第二蒸鍍區(qū)域與第二部分重疊;第二蒸鍍區(qū)域和第二部分用于在待蒸鍍器件上形成第一膜層,第一部分用于在第一膜層上形成第二膜層。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示領(lǐng)域,具體涉及一種顯示器件的蒸鍍裝置和蒸鍍方法。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器件,是一種主動發(fā)光顯示器件,由于其具有制備工藝簡單、成本低、高對比度、廣視角、低功耗等優(yōu)點,已成為主流顯示技術(shù)。
在制備顯示器件的過程時,通常采用真空蒸鍍技術(shù)。具體地,蒸鍍裝置中的蒸鍍源對蒸鍍材料進(jìn)行加熱,使蒸鍍材料轉(zhuǎn)換為氣態(tài)并噴射到待蒸鍍的器件的表面,使氣化后的蒸鍍材料沉積在待蒸鍍的器件表面以形成膜層。
在相關(guān)技術(shù)中,一個蒸鍍裝置用于制造一個膜層,造成蒸鍍裝置的蒸鍍效率較低。
本申請實施例提供一種顯示器件的蒸鍍裝置和蒸鍍方法,其能夠在一個掃描過程中至少蒸鍍兩個膜層,提高了蒸鍍效率。
第一方面,本申請實施例提供一種顯示器件的蒸鍍裝置,其包括:
蒸鍍基臺,用于固定待蒸鍍器件;
蒸鍍單元,與蒸鍍基臺相對設(shè)置且能夠沿第一方向移動,蒸鍍單元包括用于在待蒸鍍器件上蒸鍍不同材料的第一蒸鍍源和第二蒸鍍源,第一蒸鍍源和第二蒸鍍源沿第一方向設(shè)置;在同一時刻,第一蒸鍍源在待蒸鍍器件上的第一蒸鍍區(qū)域包括沿第一方向設(shè)置的第一部分和第二部分,第二蒸鍍源在待蒸鍍器件上的第二蒸鍍區(qū)域與第二部分重疊;第二蒸鍍區(qū)域和第二部分用于在待蒸鍍器件上形成第一膜層,第一部分用于在第一膜層上形成第二膜層。
在本申請實施例的蒸鍍裝置中,通過使第二蒸鍍源的第二蒸鍍區(qū)域與第一蒸鍍源的第一蒸鍍區(qū)域的一部分重疊,能夠在一個掃描過程中,在待蒸鍍器件上形成至少兩個膜層,增加了在一次掃描過程中形成的膜層數(shù),有效地提高了蒸鍍裝置的蒸鍍效率。
在一些實施例中,蒸鍍單元還包括第三蒸鍍源,第三蒸鍍源設(shè)置于第一蒸鍍源的遠(yuǎn)離第二蒸鍍源的一側(cè);第三蒸鍍源在待蒸鍍器件上的第三蒸鍍區(qū)域位于第一部分的遠(yuǎn)離第二部分的一側(cè),且第三蒸鍍區(qū)域用于在第二膜層上形成第三膜層。在另一些實施例中,蒸鍍單元還包括第三蒸鍍源,第三蒸鍍源設(shè)置于第二蒸鍍源的遠(yuǎn)離第一蒸鍍源的一側(cè);第三蒸鍍源在待蒸鍍器件上的第三蒸鍍區(qū)域位于第二部分的遠(yuǎn)離第一部分的一側(cè),且第三蒸鍍區(qū)域用于在待蒸鍍器件上形成第三膜層,第一膜層形成于第三膜層上。本申請實施例通過設(shè)置第三蒸鍍源,能夠在一個掃描過程中,進(jìn)一步增加一個膜層,提高蒸鍍裝置的蒸鍍效率。
在一些實施例中,蒸鍍單元還包括與蒸鍍基臺相對設(shè)置的移動載臺,第一蒸鍍源、第二蒸鍍源和第三蒸鍍源固定于移動載臺的面向蒸鍍基臺的一側(cè)。蒸鍍裝置還包括動力單元,連接于移動載臺且用于驅(qū)動移動載臺沿第一方向移動。在一些實施例中,蒸鍍裝置還包括真空腔室,蒸鍍基臺、蒸鍍單元以及動力單元容納于真空腔室內(nèi)。
在一些實施例中,蒸鍍裝置還包括連接于蒸鍍單元的限制單元,限制單元具有第一開口和第二開口,第一開口用于限定第一蒸鍍區(qū)域,第二開口用于限定第二蒸鍍區(qū)域。本申請實施例通過調(diào)整第一開口的大小和朝向、第二開口的大小和朝向,可以限定第一蒸鍍區(qū)域和第二蒸鍍區(qū)域,以使第一蒸鍍區(qū)域的一部分與第二蒸鍍區(qū)域重疊。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





