[發(fā)明專利]基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110296707.1 | 申請日： | 2021-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN112688159A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊旭;劉哲;韓春霞;張巖松 | 申請（專利權(quán)）人： | 武漢仟目激光有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/0233 | 分類號： | H01S5/0233;H01S5/023;H01S5/02345;H01S5/02315;H01S5/0237 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人： | 張濤 |
| 地址： | 430205 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)湯*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 波長 半導(dǎo)體激光器 芯片 封裝 | ||
1.一種基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，包括：
一個基板；
一個被設(shè)于所述基板的頂面的第一正極打線區(qū)域，一個被設(shè)于所述基板的頂面的第一貼片區(qū)域，一個被設(shè)于所述基板的頂面的第二貼片區(qū)域和一個被設(shè)于所述基板的頂面的第二正極打線區(qū)域，其中所述第一正極打線區(qū)域、所述第一貼片區(qū)域、第二正極打線區(qū)域和第二貼片區(qū)域被對應(yīng)地、間隔地設(shè)置，其中所述第一正極打線區(qū)域和所述第一貼片區(qū)域適于與一個第一激光芯片相對應(yīng)，所述第二貼片區(qū)域和所述第二正極打線區(qū)域適于與一個第二激光芯片相對應(yīng)；
一個被設(shè)于所述基板的底面的第一正極貼片焊盤，一個被設(shè)于所述基板的底面的第一負(fù)極貼片焊盤，一個被設(shè)于所述基板的底面的第二正極貼片焊盤和一個被設(shè)于所述基板的底面的第二負(fù)極貼片焊盤，所述第一正極貼片焊盤、所述第一負(fù)極貼片焊盤、所述第二正極貼片焊盤和所述第二負(fù)極貼片焊盤被間隔地設(shè)置于所述封裝底部，其中所述第一正極貼片焊盤和所述第一負(fù)極貼片焊盤與所述第一激光芯片相對應(yīng)，所述第二正極貼片焊盤和所述第二負(fù)極貼片焊盤與所述第二激光芯片相對應(yīng)；和
一個壩，所述壩被設(shè)于所述基板的外圍，所述第一正極打線區(qū)域、所述第二貼片區(qū)域、所述第一貼片區(qū)域和所述第二正極打線區(qū)域被設(shè)于所述壩的內(nèi)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述第一激光芯片的波長范圍在800-1000nm，所述第二激光芯片的波長范圍在400-700nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述第一激光芯片為單孔發(fā)光或陣列發(fā)光，功率在1-300毫瓦，遠(yuǎn)場發(fā)散角在18-23°。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述第二激光芯片的功率在1-20毫瓦，遠(yuǎn)場發(fā)散角在18-26°。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，兩個所述激光芯片均為P面朝上，N面朝下，兩個所述激光芯片的底部通過銀膠被貼在所述第一負(fù)極貼片焊盤和所述第二負(fù)極貼片焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述封裝的整體尺寸為1.0mmX0.5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述封裝的上方加蓋一個透鏡或一個勻光片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述壩的主要材料為陶瓷或金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述第一貼片區(qū)域和所述第二貼片區(qū)域通過導(dǎo)電銀膠實現(xiàn)粘貼所述第一激光芯片和所述第二激光芯片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述第一正極打線區(qū)域的范圍為0.55mm×0.2mm，所述第一正極打線區(qū)域與所述壩的間隔為0.1mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述第一貼片區(qū)域的范圍為0.55×0.5mm，所述第一正極打線區(qū)域和所述第一貼片區(qū)域的間隔為0.05mm。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述第二貼片區(qū)域的范圍為0.55×0.5mm，所述第一貼片區(qū)域和所述第二貼片區(qū)域的間隔為0.15mm。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基于雙波長的半導(dǎo)體激光器芯片封裝，其特征在于，所述第二正極打線區(qū)域的范圍為0.55mm×0.2mm，所述第二正極打線區(qū)域和所述第二貼片區(qū)域的間隔為0.05mm，所述第二正極打線區(qū)域和所述壩的間隔為0.1mm。
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