[發明專利]一種暴露金屬層的方法及電路修補方法

在審

• 申請號: 202110296633.1
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113097084A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 盧勤;閃潔;張順勇
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 劉鶴;張穎玲

本發明實施例公開了一種暴露金屬層的方法，所述方法包括：提供具有金屬層的待處理樣品，所述金屬層包括目標區域，所述目標區域被絕緣層覆蓋；采用雙束聚焦離子束機臺對所述目標區域的位置進行定位，并在與所述目標區域的位置對應的所述絕緣層上形成標記；采用單束聚焦離子束機臺刻蝕所述標記下方的絕緣層，暴露出所述金屬層的所述目標區域；其中，所述單束聚焦離子束機臺在刻蝕時判斷終點的精度高于所述雙束聚焦離子束機臺在刻蝕時判斷終點的精度。

技術領域

本發明涉及半導體器件的測試分析領域，具體是涉及一種暴露金屬層的方法及電路修補方法。

背景技術

半導體器件在完成封裝后，經常因為一些原因，如反向研究產品的相關電性參數等，需要將封裝好的半導體器件的導電層暴露出來。

然而，現有的暴露所述導電層的方法的精準度不夠，經常出現導電層沒有暴露或者是導電層被挖斷的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例為解決背景技術中存在的至少一個問題而提供一種暴露金屬層的方法及電路修補方法。

為了達到上述目的，本發明的技術方案是這樣實現的：

本發明實施例提供了一種暴露金屬層的方法，所述方法包括：

提供具有金屬層的待處理樣品，所述金屬層包括目標區域，所述目標區域被絕緣層覆蓋；

采用雙束聚焦離子束機臺對所述目標區域的位置進行定位，并在與所述目標區域的位置對應的所述絕緣層上形成標記；

采用單束聚焦離子束機臺刻蝕所述標記下方的絕緣層，暴露出所述金屬層的所述目標區域；其中，所述單束聚焦離子束機臺在刻蝕時判斷終點的精度高于所述雙束聚焦離子束機臺在刻蝕時判斷終點的精度。

上述方案中，所述采用雙束聚焦離子束機臺對所述目標區域的位置進行定位，并在與所述目標區域的位置對應的所述絕緣層上形成標記，包括：

采用雙束聚焦離子束機臺的電子束對所述目標區域的位置進行定位；

采用雙束聚焦離子束機臺的離子束在與所述目標區域的位置對應的所述絕緣層上刻蝕形成標記。

上述方案中，所述標記在水平面上的投影與所述目標區域在水平面上的投影重合。

上述方案中，所述標記包括未貫穿所述絕緣層的凹槽。

上述方案中，所述凹槽的深度在20納米至30納米之間。

上述方案中，所述采用單束聚焦離子束機臺刻蝕所述標記下方的絕緣層，包括：

觀察刻蝕過程中所述絕緣層的離子束成像，基于所述標記所在區域的亮度變化，判斷所述標記下方的絕緣層是否被完全去除。

上述方案中，所述單束聚焦離子束機臺包括用于檢測刻蝕終點的終點檢測系統；

所述采用單束聚焦離子束機臺刻蝕所述標記下方的絕緣層，包括：

基于所述終點檢測系統的檢測結果，判斷所述標記下方的絕緣層是否被完全去除。

上述方案中，所述待處理樣品還包括封裝層，所述封裝層覆蓋所述絕緣層；

所述采用雙束聚焦離子束機臺對所述目標區域的位置進行定位之前，包括：

采用清洗溶液去除部分或全部的所述封裝層。

本發明實施例提供了一種電路修補方法，所述方法包括：提供具有金屬層的待處理樣品，所述金屬層包括目標區域，所述目標區域被絕緣層覆蓋；

采用上述實施例任一項所述的暴露金屬層的方法來暴露所述目標區域。

上述方案中，所述方法還包括：