[發(fā)明專利]一種能夠?qū)崿F(xiàn)寬輸入范圍和快速穩(wěn)態(tài)的低壓差線性穩(wěn)壓器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110296546.6 | 申請日: | 2021-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN113050750B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張波;朱杰;王世杰;周澤坤 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | G05F3/26 | 分類號: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 能夠 實(shí)現(xiàn) 輸入 范圍 快速 穩(wěn)態(tài) 低壓 線性 穩(wěn)壓器 | ||
1.一種能夠?qū)崿F(xiàn)寬輸入范圍和快速穩(wěn)態(tài)的低壓差線性穩(wěn)壓器,其特征在于,包括偏置模塊、瞬態(tài)增強(qiáng)模塊和LDO主環(huán)路模塊;
所述偏置模塊包括偏置電流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一P型LDMOS管、第二P型LDMOS管、第三P型LDMOS管、第二電阻和第三電阻;
第一P型LDMOS管的柵漏短接并連接第二P型LDMOS管的柵極、第三P型LDMOS管的柵極和所述偏置電流源,其源極連接第二P型LDMOS管的源極和第三P型LDMOS管的源極并連接低壓差線性穩(wěn)壓器的輸入電壓;
第一PMOS管的柵極連接外部基準(zhǔn)電壓,其源極連接第一NMOS管的源極,其漏極連接第二PMOS管的源極;
第二電阻的一端連接第一NMOS管的柵極和漏極并產(chǎn)生內(nèi)部參考電壓,其另一端連接第二P型LDMOS管的漏極;
第二NMOS管的柵漏短接并通過第三電阻后連接第三P型LDMOS管的漏極,其源極連接第二PMOS管的柵極和漏極并接地;
所述LDO主環(huán)路模塊包括第二N型LDMOS管、第三N型LDMOS管、第四N型LDMOS管、第八P型LDMOS管、第九P型LDMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第六電阻、第七電阻、第四電容和第五電容;
第八P型LDMOS管的柵極連接所述偏置模塊中第一P型LDMOS管的柵極,其源極連接第九P型LDMOS管的源極并連接所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸入電壓,其漏極連接第九P型LDMOS管的柵極并通過第七電阻后連接第四N型LDMOS管的漏極;第四N型LDMOS管的柵極連接高電平的第一外部偏置電壓;
第九P型LDMOS管的漏極作為所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端;
第四電容一端連接所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端,另一端連接第四N型LDMOS管的源極和第九NMOS管的漏極;
第五電容一端連接所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端,另一端連接第十NMOS管的漏極;
第十NMOS管的柵極連接第七NMOS管的柵極和所述偏置模塊中第二NMOS管的柵極,其源極連接第七NMOS管的源極、第八NMOS管的源極和第九NMOS管的源極并接地;
第二N型LDMOS管的柵極連接所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端,其漏極連接第三N型LDMOS管的漏極并通過第六電阻后連接所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸入電壓,其源極連接第五PMOS管的源極;
第三N型LDMOS管的柵極連接所述內(nèi)部參考電壓,其源極連接第六PMOS管的源極;
第六PMOS管的柵極連接第五PMOS管的柵極和漏極以及第七NMOS管的漏極,其漏極連接第八NMOS管的柵極和漏極以及第九NMOS管的柵極;
所述瞬態(tài)增強(qiáng)模塊包括第一N型LDMOS管、第四P型LDMOS管、第五P型LDMOS管、第六P型LDMOS管、第七P型LDMOS管、第二電容、第四電阻、第五電阻、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第十一NMOS管;
第二電容一端連接第六NMOS管的漏極和所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端,另一端連接第四NMOS管的柵極并通過第五電阻后連接第三NMOS管的柵極;
第四P型LDMOS管的柵極連接所述偏置模塊中第一P型LDMOS管的柵極,其源極連接第五P型LDMOS管的源極和第六P型LDMOS管的源極并連接所述低壓差線性穩(wěn)壓器的輸入電壓,其漏極通過第四電阻后連接第三NMOS管的漏極;
第一N型LDMOS管的柵極連接高電平的第二外部偏置電壓,其漏極連接第五P型LDMOS管的柵極和漏極以及第六P型LDMOS管的柵極和第七P型LDMOS管的柵極,其源極連接第四NMOS管的漏極;第六P型LDMOS管的漏極連接第七P型LDMOS管的源極;
第十一NMOS管的柵極連接所述偏置模塊中第二NMOS管的柵極,其漏極連接第七P型LDMOS管的漏極、第六NMOS管的柵極以及第五NMOS管的柵極和漏極,其源極連接第三NMOS管的源極、第四NMOS管的源極、第五NMOS管的源極和第六NMOS管的源極并接地。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110296546.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 互動業(yè)務(wù)終端、實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)及實(shí)現(xiàn)方法
- 街景地圖的實(shí)現(xiàn)方法和實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)
- 游戲?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)和游戲?qū)崿F(xiàn)方法
- 圖像實(shí)現(xiàn)裝置及其圖像實(shí)現(xiàn)方法
- 增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)的實(shí)現(xiàn)方法以及實(shí)現(xiàn)裝置
- 軟件架構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方法和實(shí)現(xiàn)平臺
- 數(shù)值預(yù)報的實(shí)現(xiàn)方法及實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)
- 空調(diào)及其冬眠控制模式實(shí)現(xiàn)方法和實(shí)現(xiàn)裝置以及實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)
- 空調(diào)及其睡眠控制模式實(shí)現(xiàn)方法和實(shí)現(xiàn)裝置以及實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)
- 輸入設(shè)備實(shí)現(xiàn)方法及其實(shí)現(xiàn)裝置





