[發(fā)明專利]一種釹鐵硼磁體及一種三維晶界擴散制備釹鐵硼磁體的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110296351.1
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113053607B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖明活;毛華云;毛琮堯;劉永;吳海明
• 申請（專利權(quán)）人: 金力永磁（包頭)科技有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 劉樂

1.一種釹鐵硼磁體，其特征在于，所述釹鐵硼磁體為經(jīng)過重稀土元素擴散滲透后的釹鐵硼磁體；

所述釹鐵硼磁體包括表層重稀土晶界擴散區(qū)和芯部非擴散區(qū)；

所述釹鐵硼磁體在磁體的三維方向上均具有表層重稀土晶界擴散區(qū)；

所述釹鐵硼磁體在任意一個表面均具有表層重稀土晶界擴散區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述重稀土元素包括Dy和/或Tb；

所述芯部非擴散區(qū)的體積占釹鐵硼磁體體積的比例大于等于20％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述擴散滲透為三維晶界擴散；

所述重稀土元素擴散滲透量占所述釹鐵硼磁體質(zhì)量的0.1wt％～1.0wt％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述芯部非擴散區(qū)的重稀土含量在擴散滲透前后不增加；

以所述釹鐵硼磁體的中心為基準(zhǔn)，所述釹鐵硼磁體任意表面內(nèi)的表層重稀土擴散區(qū)的深度為，該表面到磁體中心的距離的80％以內(nèi)；

所述釹鐵硼磁體較擴散滲透前，磁體的Hcj提高2～15kOe。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的釹鐵硼磁體，其特征在于，所述表層重稀土擴散區(qū)沿層方向上，邊緣的重稀土元素濃度大于中間的重稀土元素濃度；

所述表層重稀土擴散區(qū)沿層方向上，從邊緣至中間，重稀土元素濃度先是逐漸降低再到維持恒定；

所述表層重稀土擴散區(qū)沿深度方向上，重稀土元素濃度逐漸降低。

6.一種釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

A)將重稀土與有機溶劑混合后，得到混合液；

B)將上述步驟得到的混合液涂覆在釹鐵硼毛坯的每一個表面上，得到半成品；

C)將上述步驟得到的半成品進行晶界擴散和時效處理后，得到釹鐵硼磁體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述有機溶劑包括硅油；

所述重稀土的平均粒度為1～100μm；

所述重稀土與所述溶劑的質(zhì)量比為(90～98)：(2～10)。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述釹鐵硼毛坯包括表面磨光處理后的釹鐵硼毛坯；

所述晶界擴散具體為在真空條件下進行晶界擴散；

所述真空的絕對壓力小于等于10Pa；

所述晶界擴散包括低溫?fù)]發(fā)步驟和高溫擴散步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述低溫?fù)]發(fā)的溫度為300～500℃；

所述低溫?fù)]發(fā)的時間為3～5h；

所述高溫擴散的溫度為700～1000℃；

所述高溫擴散的時間為1～100h。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述時效處理具體為高溫擴散冷卻后再進行時效處理；

所述時效處理的溫度為400～600℃；

所述時效處理的時間為1～15h。