[發明專利]一種碳化硅襯底退火工藝及碳化硅襯底退火設備

在審

• 申請號: 202110296226.0
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113066720A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 林苡任;史波;陳道坤;曾丹
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/67
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉紅彬

1.一種碳化硅襯底退火工藝，其特征在于，包括：

將雙層掩蔽層放置于需退火的碳化硅襯底一側，以遮蔽所述碳化硅襯底表面，且所述雙層掩蔽層與所述碳化硅襯底之間的距離D滿足：0μm＜D≤300μm；

對所述碳化硅襯底進行退火處理。

2.根據權利要求1所述的碳化硅襯底退火工藝，其特征在于，所述雙層掩蔽層采用以下工藝制作：

在1600℃-1700℃的氬環境中，直接在第一掩蔽層上用脈沖激光沉積法沉積第二掩蔽層。

3.根據權利要求2所述的碳化硅襯底退火工藝，其特征在于，所述第一掩蔽層的厚度為2μm-5μm。

4.根據權利要求2所述的碳化硅襯底退火工藝，其特征在于，所述第二掩蔽層的厚度為0.5μm-1μm。

5.根據權利要求1所述的碳化硅襯底退火工藝，其特征在于，所述雙層掩蔽層與所述碳化硅襯底之間的距離為250μm-300μm。

6.根據權利要求1所述的碳化硅襯底退火工藝，其特征在于，所述雙層掩蔽層的面積大于等于所述碳化硅襯底的面積。

7.根據權利要求1所述的碳化硅襯底退火工藝，其特征在于，所述雙層掩蔽層和所述碳化硅襯底均為圓形，且所述雙層掩蔽層的直徑大于所述碳化硅襯底直徑的20％。

8.根據權利要求7所述的碳化硅襯底退火工藝，其特征在于，所述將雙層掩蔽層放置于需退火的碳化硅襯底一側，以遮蔽所述碳化硅襯底表面，包括：

將需退火的碳化硅襯底吸附固定于中心真空泵；

將面積大于所述碳化硅襯底的所述雙層掩蔽層吸附固定于外圈真空泵，所述外圈真空泵圍繞所述中心真空泵設置。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的碳化硅襯底退火工藝，其特征在于，所述對所述碳化硅襯底進行退火處理之后還包括：

檢測所述碳化硅襯底表面的粗糙度。

10.一種碳化硅襯底退火設備，其特征在于，包括：中心真空泵、外圈真空泵，所述外圈真空泵圍繞所述中心真空泵設置；其中：

所述中心真空泵用于支撐需退火的碳化硅襯底；

所述外圈真空泵用于支撐用于遮蔽所述碳化硅襯底表面的雙層掩蔽層；

所述中心真空泵和所述外圈真空泵配合以使所述雙層掩蔽層與所述碳化硅襯底的距離D滿足：0μm＜D≤300μm。