[發(fā)明專利]體聲波諧振器和濾波器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110295452.7
• 申請(qǐng)日: 2017-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112953437A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李泰京;姜仁瑛;申蘭姬;孫晉淑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02;H03H9/05;H03H9/17
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 包國(guó)菊;金光軍

1.一種體聲波諧振器，包括：

基板；

第一電極，設(shè)置在所述基板之上；

壓電主體，設(shè)置在所述第一電極上，并包括具有摻雜材料的氮化鋁；以及

第二電極，設(shè)置在所述壓電主體上，

其中，所述壓電主體沿厚度方向包括多個(gè)區(qū)域，并且

所述多個(gè)區(qū)域至少包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的在c軸方向上的晶格常數(shù)與在a軸方向上的晶格常數(shù)的比c/a，大于所述第二區(qū)域的在c軸方向上的晶格常數(shù)與在a軸方向上的晶格常數(shù)的比c/a。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述第一區(qū)域相對(duì)于所述第二區(qū)域更靠近所述第一電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的體聲波諧振器，其中，所述第一區(qū)域設(shè)置為與所述第一電極接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述第一區(qū)域的密度大于所述第二區(qū)域的密度，所述第一區(qū)域的折射率大于所述第二區(qū)域的折射率。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的體聲波諧振器，其中，所述第一區(qū)域的密度超過(guò)3.4681g/cm³，所述第一區(qū)域的折射率超過(guò)2.1135。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述第一區(qū)域的c軸晶格常數(shù)比所述第二區(qū)域的c軸晶格常數(shù)大。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述第一區(qū)域的比c/a比在未施加應(yīng)力的狀態(tài)下形成的區(qū)域的比c/a大。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述摻雜材料包括從由鈧、鉺、釔、鑭、鈦、鋯和鉿組成的組中選擇的一種或它們的組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的體聲波諧振器，其中，所述摻雜材料的含量為1at％至20at％。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述第二區(qū)域的比c/a比在未施加應(yīng)力的狀態(tài)下形成的區(qū)域的比c/a小。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述壓電主體具有密排六方堆疊結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述多個(gè)區(qū)域中除了所述第一區(qū)域之外的區(qū)域的比c/a比在未施加應(yīng)力的狀態(tài)下形成的區(qū)域的比c/a小。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的體聲波諧振器，其中，所述體聲波諧振器還包括形成在所述第一電極與所述基板之間的氣腔。

14.一種體聲波諧振器，包括：

基板；

第一電極，設(shè)置在所述基板之上；

壓電主體，設(shè)置在所述第一電極上，并包括具有摻雜材料的氮化鋁；以及

第二電極，設(shè)置在所述壓電主體上，

其中，所述第一電極在a軸方向上的晶格常數(shù)大于

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的體聲波諧振器，其中，所述第一電極在a軸方向上的晶格常數(shù)大于

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的體聲波諧振器，其中，所述第一電極包括從由金、鈦、鉭、鉬、釕、鉑、鎢、鋁、鎳和銥組成的組中選擇的一種或它們的合金。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的體聲波諧振器，其中，所述壓電主體具有密排六方堆疊結(jié)構(gòu)。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的體聲波諧振器，其中，所述第一電極具有體心立方晶格結(jié)構(gòu)。