[發明專利]顯示裝置、及對應的信號處理裝置及手勢識別方法在審
| 申請號: | 202110295374.0 | 申請日: | 2021-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN113053984A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 王玉波;王雷;李揚冰;崔亮;馬媛媛;張平;韓艷玲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570 | 代理人: | 劉杰 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 對應 信號 處理 裝置 手勢 識別 方法 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括顯示結構,所述顯示結構包括:依次堆疊設置的基底、陣列基板、樹脂層、第一電極、多個發光單元、間隔多個發光單元的像素界定層、與所述第一電極相對設置的第二電極、以及封裝層;
所述顯示裝置還包括間隔地設置于所述第一電極與所述像素界定層之間的壓電薄膜以及間隔地設置于所述像素界定層與所述樹脂層之間的第三電極,所述第三電極的位置及數目與所述壓電薄膜的位置及數目對應,所述第二電極、所述壓電薄膜及對應的所述第三電極形成超聲換能器;
所述顯示裝置還包括開設于所述第三電極一側、且與所述超聲換能器的位置及數目對應的多個間隔設置的振動腔。
2.根據權利要求1的顯示裝置,其特征在于,每個壓電薄膜在基底上的正投影、與所述壓電薄膜對應的所述第三電極在基底上的正投影、以及與所述壓電薄膜對應的在基底上的正投影部分或者全部重疊。
3.根據權利要求1的顯示裝置,其特征在于,每個所述振動腔縱向開設于所述樹脂層、所述陣列基板及所述基底中至少一個或者多個。
4.根據權利要求1的顯示裝置,其特征在于,所述第三電極的寬度等于或者大于所述超聲換能器的寬度。
5.一種信號處理裝置,用于在權利要求1至4任意一項的所述顯示裝置進行手勢識別時,進行信號處理,其特征在于,所述信號處理裝置包括:
激勵模塊,用于生成激勵信號,所述激勵信號用于激勵所述顯示裝置內的超聲換能器發射超聲波;
接收模塊,用于接收經用戶的手部反射的超聲波的回波信號,并對所述回波信號進行處理;以及
控制模塊,用于控制所述激勵模塊生成所述激勵信號,并根據所述接收模塊處理后的回波信號對所述手部對應的手勢進行識別。
6.根據權利要求5的信號處理裝置,其特征在于,所述激勵模塊包括電性連接的激勵電路及匹配電路,所述激勵電路用于生成激勵信號,所述匹配電路用于對所述超聲換能器的阻抗進行匹配。
7.根據權利要求6的信號處理裝置,其特征在于,所述接收模塊包括依次電性連接的前置放大電路、帶通濾波電路、以及模數轉換器,所述前置放大電路包括依次電性連接的差分信號采集電路及差分放大電路,所述差分信號采集電路與所述超聲換能器電性相連,用于采集所述回波信號,所述差分放大電路用于對采集的回波信號進行放大,所述帶通濾波電路用于對放大后的回波信號進行帶通濾波,所述模數轉換器用于對濾波后的回波信號進行轉換,并將轉換后的回波信號傳送至所述控制模塊。
8.根據權利要求7的信號處理裝置,其特征在于,所述信號處理裝置還包括與所述控制模塊電性連接的調制解調模塊,所述調制解調模塊用于對轉換后的回波信號進行解調。
9.一種手勢識別方法,用于權利要求1至4任意一項的所述顯示裝置進行手勢識別,其特征在于,所述方法包括:
獲取所述顯示裝置內超聲換能器發射超聲波經用戶的手部反射的回波信號;
對所述回波信號進行處理,得到所述回波信號對應的特征向量;
使用模型對所述特征向量進行分析,其中,所述模型通過使用多組樣本數據通過機器學習訓練得到,所述多組樣本數據均包括:所述特征向量及用于標識特征向量的手勢類別的標簽;以及
獲取模型的輸出信息,并根據所述輸出信息識別對應的手勢,其中,所述輸出信息包括所述特征向量的手勢類別,所述手勢類別包括手勢對應的形狀及位移。
10.根據權利要求9的手勢識別方法,其特征在于,所述特征向量包括所述回波信號的波達方向俯仰角、投影點分布的位置、回波頻率變化以及回波時間中至少一項或者多項的組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





